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25微歐至最高200微歐的電阻值的性能提升至1700MB/s

發布時間:2021/4/17 12:17:02 訪問次數:294

NAND 主控,通過 PCIe Gen 3 x3 接口將 SD Express 卡的性能提升至 1700 MB/s。

SM2708 SD Express 主控具備 PCIe Gen 3 x2 接口和 NVMe 1.3 接口,旨在通過超高性能 SD Express 卡推動各行各業對性能水平有要求的應用。

旗艦產品 SM2708 SD Express 主控解決方案,支持最新的 SD 8.0 規范,并向后兼容 SD 7.1 規范。

SM2708 一站式解決方案支持最新的 3D NAND,并使用慧榮科技專有的 NANDXtend ECC 技術、內部數據路徑保護和可編程固件,以最大限度地提高可靠性和耐用性。

電源電路應用示例

PFC電路的輸出二極管

續流二極管

防止反向連接

鉗位電路

其他通用電路

新型完全電鍍型號在材料沖壓后,再經過鍍錫處理以產生保護層,該保護層在負載壽命測試受益后可提供增強的性能、長期穩定性和較低的電阻漂移。

裸銅版的結構無鍍錫,可增強TCR性能,銅端子上覆蓋有一層保護層,有助于延長電阻器的使用壽命。

Bourns®全新擴展的CSM2F型號系列具有最低25微歐至最高200微歐的電阻值、可達50瓦的額定功率、1414安培的連續電流,以及具有高脈沖功率處理能力。

該系列使用電子束(E-Beam)焊接電阻銅合金制造,其中金屬合金電流傳感組件提供的熱EMF低至0.25 μV / K,在20°C至60°C的溫度范圍內具有50 PPM /°C的低TCR。


(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

NAND 主控,通過 PCIe Gen 3 x3 接口將 SD Express 卡的性能提升至 1700 MB/s。

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Bourns®全新擴展的CSM2F型號系列具有最低25微歐至最高200微歐的電阻值、可達50瓦的額定功率、1414安培的連續電流,以及具有高脈沖功率處理能力。

該系列使用電子束(E-Beam)焊接電阻銅合金制造,其中金屬合金電流傳感組件提供的熱EMF低至0.25 μV / K,在20°C至60°C的溫度范圍內具有50 PPM /°C的低TCR。


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