CN-B110系列新產品輸入針腳到接地安裝孔之間的距離從上一代產品的2.9mm提升至11.8mm。相比老產品提升約3倍的安全距離為客戶應用留足裕量，方便客戶滿足更高海拔或耐壓需求。

CN-B110系列具備高精度主動均流功能，可支持11臺模塊電源并聯輸出。

當CN-B110系列工作在均流狀態下，可通過IOG引腳（可選）實現各臺電源運行狀態獨立實時偵測。高精度均流特色可以協助客戶將輸出功率均勻分配至各臺DC-DC上，通過外加Oring FET實現冗余并聯來滿足整體系統高可靠性要求。

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 59 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 6.22 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 85 S

下降時間: 6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5.4 ns

工廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 37 ns

典型接通延遲時間: 9.3 ns

零件號別名: IPD36N4LGXT SP000387945 IPD036N04LGBTMA1

單位重量: 4 g

輸入與輸出隔離為4kVac(2xMoPP), 輸入與地隔離為2kVac (1xMoPP) ,輸出與地隔離為1.5kVac(1xMoPP) , 適用于B等級與BF等級醫療設備。

對地漏電流小于200uA, 接觸漏電流小于50μA,高達5,000m工作海拔。

該產品取得IEC/EN/UL/CSA 60601-1與IEC/EN/UL/CSA 62368-1(申請中)安規認證, 帶有符合低壓、EMC和ROHS2指令的CE標志。

CN-B110系列采用成熟可靠的固定頻率軟開關拓撲結構，其具備高效率、高可靠性、長壽命和低噪聲特色。CN-B110系列具備極低的空載損耗和輕載條件下的高效率。

更換萬用表測量選擇開關至合適擋位，弄清楚要測的電壓性質是交流電，將測量選擇開關轉到對應的交流電壓最高擋位。

選擇合適量程。根據待測電路中電源電壓大小估計一下被測交流電壓的大小選擇量程。若不清楚電壓大小，應先用最高電壓擋試觸測量，后逐漸換用低電壓擋直到找到合適的量程為止。

電壓擋合適量程的標準是指針盡量指在刻度盤的滿偏刻度的2/3以上位置（注意∶與電阻擋合適倍率標準有所不同）。

測量方法。萬用表測電壓時應使萬用表與被測電路相并聯，紅黑表筆分別接測電壓兩端（交流電壓無正負之分，故紅表筆可隨意接）。