D1處理器，其是全球首顆量產的搭載平頭哥玄鐵906 RISC－V的應用處理器，為萬物互聯AIoT時代提供了新的智能關鍵芯片。

芯片與平頭哥玄鐵906密切合作，結合公司在高清視頻處理及系統架構方面的深度積累，集成自研的片內高速互聯總線NSI和豐富應用接口，能夠提供高性能的異構多核心計算處理和出色的圖形加速能力。

其強勁的產品表現力從底層性能和規格設計上高度契合AIoT時代海量的場景需求，可廣泛應用于智慧城市、智能汽車、智能商顯、智能家電、智能辦公等多個領域市場。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續漏極電流:    50 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.7 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    67 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   38 S  

下降時間:   7 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   26 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   37 ns  

典型接通延遲時間:   15 ns  

零件號別名:  BSC067N06LS3 G SP000451084  

單位重量:  190 mg

它們具有豐富的I/O選項，包括10Gbit以太網、1Gbit以太網、PCIe、USB、SATA、RapidIO等。

由于在每個T4240中嵌入了數據路徑加速邏輯，可以顯著提高數據包分類和處理效率。此外，還能支持-55°C至125°C的寬工作溫度范圍。

除了這些設備在高可靠性環境下的特性描述、篩選和鑒定（以檢查它們是否具有必要的穩健性、壽命和性能屬性），Teledyne e2v還為T4240提供了Sn-Pb球選項。

在不受RoHS法規約束的應用領域中，這將是一個主要優勢。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）