單片微波集成電路(MMIC)密度充分發揮GaN的特性
發布時間:2021/5/5 18:59:07 訪問次數:347
GaN能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場.
具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優異的功率密度。
將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導率，進而充分發揮GaN 的特性。
單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設備中，進而提高電路密度。
制造商:Micron Technology 產品種類:NOR閃存 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOP2-16 系列: 存儲容量:256 Mbit 電源電壓-最小:1.7 V 電源電壓-最大:2 V 有源讀取電流（最大值）:20 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:108 MHz 組織:32 M x 8 數據總線寬度:8 bit 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:108 MHz 結構:Uniform 商標:Micron 電源電流—最大值:20 mA 產品類型:NOR Flash 1000 子類別:Memory & Data Storage
這些器件專為汽車應用而設計，比AEC-Q101的要求高出兩倍。
器件支持廣泛的接口標準，包括USB 2.0、超高速USB (10 Gbps)、HDMI 2.0、HDBaseT以及車輛中越來越多的汽車A/V監視器、顯示器和攝像頭。
電子含量在整個車輛中的應用正在迅速增長，加上對高數據速率的需求，高端A/V應用中常見的接口正變得越來越普遍。
由于電氣化程度的提高，車輛正處于電氣噪聲環境中，這些敏感的接口需要高性能ESD的保護。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
GaN能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場.
具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優異的功率密度。
將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導率，進而充分發揮GaN 的特性。
單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設備中，進而提高電路密度。
制造商:Micron Technology 產品種類:NOR閃存 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOP2-16 系列: 存儲容量:256 Mbit 電源電壓-最小:1.7 V 電源電壓-最大:2 V 有源讀取電流（最大值）:20 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:108 MHz 組織:32 M x 8 數據總線寬度:8 bit 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:108 MHz 結構:Uniform 商標:Micron 電源電流—最大值:20 mA 產品類型:NOR Flash 1000 子類別:Memory & Data Storage
這些器件專為汽車應用而設計，比AEC-Q101的要求高出兩倍。
器件支持廣泛的接口標準，包括USB 2.0、超高速USB (10 Gbps)、HDMI 2.0、HDBaseT以及車輛中越來越多的汽車A/V監視器、顯示器和攝像頭。
電子含量在整個車輛中的應用正在迅速增長，加上對高數據速率的需求，高端A/V應用中常見的接口正變得越來越普遍。
由于電氣化程度的提高，車輛正處于電氣噪聲環境中，這些敏感的接口需要高性能ESD的保護。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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