三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)的異常發熱點
發布時間:2021/5/8 13:15:07 訪問次數:751
一種基于輕質AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業應用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。
此項高溫芯片和模塊技術平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統（電機、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應成本大幅降低，并實現最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術平臺可迅速適應新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉換器的設計，從而實現了高效率和高功率密度。
2kW及更高功率的服務器電源應用，使用傳統硅器件來實現這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統成本。
模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續電流為340A.
FLIR T560擁有卓越的紅外分辨率（640*480）非常適合遠距離大范圍掃描，配備各種先進的功能，有助于專業人員排查發電、輸配電及制造設備中的異常發熱點，及時定位隱患和安排維護工作。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
一種基于輕質AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業應用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。
此項高溫芯片和模塊技術平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統（電機、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應成本大幅降低，并實現最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術平臺可迅速適應新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉換器的設計，從而實現了高效率和高功率密度。
2kW及更高功率的服務器電源應用，使用傳統硅器件來實現這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統成本。
模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續電流為340A.
FLIR T560擁有卓越的紅外分辨率（640*480）非常適合遠距離大范圍掃描，配備各種先進的功能，有助于專業人員排查發電、輸配電及制造設備中的異常發熱點，及時定位隱患和安排維護工作。
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