新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80Vp溝道器件優異水平
發布時間:2021/7/22 22:50:10 訪問次數:193
通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。
新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。
日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增加功率密度提高輸出。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 開關穩壓器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-HR-12
拓撲結構: Buck
輸出電壓: 3.3 V to 5 V
輸出電流: 1.5 A
輸出端數量: 1 Output
最大輸入電壓: 60 V
最小輸入電壓: 4.2 V
靜態電流: 26 uA
開關頻率: 400 kHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: LMR36015
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
輸入電壓: 4.2 V to 60 V
類型: Step-Down Converter
商標: Texas Instruments
關閉: Shutdown
負載調節: Regulated
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 1.5 A
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 250
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 3.3 V
單位重量: 13.300 mg
基于DSI-2技術的兩款圖像傳感器產品——SC233A與SC223A,以優異低光照成像性能為安防監控、車載電子以及智能家居等應用賦能。
2019年,思特威在傳統的FSI和BSI技術之外開拓全新的技術道路,發布了基于其創新設計架構的第一代DSI像素技術,該技術相較主流FSI技術擁有更高的靈敏度與信噪比。
新一代DSI-2技術,相較前代技術產品在感光度及色彩表現力等性能上再度提升,同時思特威再次在DSI-2技術開發中融合了創新的像素工藝設計。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。
新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。
日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增加功率密度提高輸出。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 開關穩壓器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-HR-12
拓撲結構: Buck
輸出電壓: 3.3 V to 5 V
輸出電流: 1.5 A
輸出端數量: 1 Output
最大輸入電壓: 60 V
最小輸入電壓: 4.2 V
靜態電流: 26 uA
開關頻率: 400 kHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: LMR36015
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
輸入電壓: 4.2 V to 60 V
類型: Step-Down Converter
商標: Texas Instruments
關閉: Shutdown
負載調節: Regulated
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 1.5 A
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 250
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 3.3 V
單位重量: 13.300 mg
基于DSI-2技術的兩款圖像傳感器產品——SC233A與SC223A,以優異低光照成像性能為安防監控、車載電子以及智能家居等應用賦能。
2019年,思特威在傳統的FSI和BSI技術之外開拓全新的技術道路,發布了基于其創新設計架構的第一代DSI像素技術,該技術相較主流FSI技術擁有更高的靈敏度與信噪比。
新一代DSI-2技術,相較前代技術產品在感光度及色彩表現力等性能上再度提升,同時思特威再次在DSI-2技術開發中融合了創新的像素工藝設計。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)