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內置了柵極保護二極管作為防靜電措施安全傳感器等SIL級應用

發布時間:2021/8/21 18:22:48 訪問次數:243

2種MOSFET新產品--XP22x系列(20V耐壓).

產品是具有低導通電阻和高速開關特性的通用MOSFET產品。可用于各種機器應用,如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。

封裝組件均采用了小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723(1.2 x 1.2 x h0.5mm),推動機器小型化。

56F83xxx系列新增8個汽車級產品, 命名為56F837xxA系列。

制造商:    Texas Instruments    

產品種類:    RS-232接口集成電路    

RoHS:    詳細信息    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    SSOP-20    

系列:    MAX3222    

功能:    Transceiver    

數據速率:    250 kb/s    

激勵器數量:    2 Driver    

接收機數量:    2 Receiver    

雙工:    Full Duplex    

電源電壓-最大:    5.5 V    

電源電壓-最小:    3 V    

工作電源電流:    1 mA    

最小工作溫度:    - 40 C    

最大工作溫度:    + 85 C    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

高度:   1.95 mm    

長度:   7.2 mm    

產品:   RS-232 Transceivers    

電源類型:   Single Supply    

寬度:   5.3 mm    

商標:   Texas Instruments    

關閉:   With Shutdown    

工作電源電壓:   3.3 V, 5 V    

產品類型:   RS-232 Interface IC    

工廠包裝數量:   2000    

子類別:   Interface ICs    

單位重量:  156.700 mg  

新一代200V氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器,以及多電平,高壓AC / DC轉換器的理想功率器件。

其柵極電荷(QG)較基準硅MOSFET器件小十倍,并且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音頻放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和電機驅動器。

除了安全傳感器等SIL級的應用外,還可以用于一般的工廠自動化和過程控制設備,如可編程邏輯控制器(PLC)、I/O外設和計算機數控(CNC)機床。



(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

2種MOSFET新產品--XP22x系列(20V耐壓).

產品是具有低導通電阻和高速開關特性的通用MOSFET產品。可用于各種機器應用,如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。

封裝組件均采用了小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723(1.2 x 1.2 x h0.5mm),推動機器小型化。

56F83xxx系列新增8個汽車級產品, 命名為56F837xxA系列。

制造商:    Texas Instruments    

產品種類:    RS-232接口集成電路    

RoHS:    詳細信息    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    SSOP-20    

系列:    MAX3222    

功能:    Transceiver    

數據速率:    250 kb/s    

激勵器數量:    2 Driver    

接收機數量:    2 Receiver    

雙工:    Full Duplex    

電源電壓-最大:    5.5 V    

電源電壓-最小:    3 V    

工作電源電流:    1 mA    

最小工作溫度:    - 40 C    

最大工作溫度:    + 85 C    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

高度:   1.95 mm    

長度:   7.2 mm    

產品:   RS-232 Transceivers    

電源類型:   Single Supply    

寬度:   5.3 mm    

商標:   Texas Instruments    

關閉:   With Shutdown    

工作電源電壓:   3.3 V, 5 V    

產品類型:   RS-232 Interface IC    

工廠包裝數量:   2000    

子類別:   Interface ICs    

單位重量:  156.700 mg  

新一代200V氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器,以及多電平,高壓AC / DC轉換器的理想功率器件。

其柵極電荷(QG)較基準硅MOSFET器件小十倍,并且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音頻放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和電機驅動器。

除了安全傳感器等SIL級的應用外,還可以用于一般的工廠自動化和過程控制設備,如可編程邏輯控制器(PLC)、I/O外設和計算機數控(CNC)機床。



(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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