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當一個設備的接地線上電壓較大時這個電壓驅動了地環路電流

發布時間:2021/8/31 0:32:59 訪問次數:141

隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

而對于先進DRAM,晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

領先DRAM制造商幾乎所有已商業化的DRAM產品都存在AA形狀扭曲。除中心線不穩定以外,這種扭曲還體現在切割區域周邊的關鍵尺寸差異

當一個設備的接地線上電壓較大時這個電壓驅動了地環路電流,它通常由兩個原因產生.

制造商:Analog Devices Inc. 產品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 參考類型:Series Precision References 輸出電壓:3.3 V 初始準確度:0.04 % 溫度系數:1 PPM/C 串聯VREF—輸入電壓—最大值:20 V 分流電流—最大值:100 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列: 封裝:Tube 高度:1.75 mm 商標:Analog Devices 關閉:Shutdown 電源電流—最大值:70 uA 工作電源電流:35 uA 產品類型:Voltage References 100 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:76.018 mg

由于RDC是ρ(電阻率)、S(橫截面積)、L(長度)這三個因素決定的。

ρ材料的電阻率一般導線制作出來就已經固定了,銅的電阻率為1。所以在直流電中影響電阻的阻值就是導線的橫截面積和導線的長度。

決定感量的因數主要是導線的長度和導線的直徑。因此決定導線的阻抗的因素我們也知道了,所以在電路中各個地方的地阻抗的不一致就是以上的因素所決定的。

這個地線電壓的形成是由于作為地的導體上流過了較大的電流,電流在導體阻抗上形成電壓。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

而對于先進DRAM,晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

領先DRAM制造商幾乎所有已商業化的DRAM產品都存在AA形狀扭曲。除中心線不穩定以外,這種扭曲還體現在切割區域周邊的關鍵尺寸差異

當一個設備的接地線上電壓較大時這個電壓驅動了地環路電流,它通常由兩個原因產生.

制造商:Analog Devices Inc. 產品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 參考類型:Series Precision References 輸出電壓:3.3 V 初始準確度:0.04 % 溫度系數:1 PPM/C 串聯VREF—輸入電壓—最大值:20 V 分流電流—最大值:100 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列: 封裝:Tube 高度:1.75 mm 商標:Analog Devices 關閉:Shutdown 電源電流—最大值:70 uA 工作電源電流:35 uA 產品類型:Voltage References 100 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:76.018 mg

由于RDC是ρ(電阻率)、S(橫截面積)、L(長度)這三個因素決定的。

ρ材料的電阻率一般導線制作出來就已經固定了,銅的電阻率為1。所以在直流電中影響電阻的阻值就是導線的橫截面積和導線的長度。

決定感量的因數主要是導線的長度和導線的直徑。因此決定導線的阻抗的因素我們也知道了,所以在電路中各個地方的地阻抗的不一致就是以上的因素所決定的。

這個地線電壓的形成是由于作為地的導體上流過了較大的電流,電流在導體阻抗上形成電壓。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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