何利用SEMulator3D研究先進DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲
發布時間:2021/8/31 0:34:08 訪問次數:2557
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。
對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關的微負載效應與制造變量。
按照電路流程安排各個功能電路單元的位置，使布局便于信號流通，并使信號盡可能保持一致的方向。
在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數。一般電路應盡可能使元器件并行排列，這樣不但美觀，而且裝旱容易，易于批量生產。
多層印制電路板中，可設置接地層，接地層設計成網狀。地線網格的間距不能太大，因為地線的一個主要作用是提供信號回流路徑，若網格的間距過大，會形成較大的信號環路面積。
地線阻抗的大小是由哪些參數決定的，RDC是導線上的直流電阻值，jwL是感抗。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。
對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關的微負載效應與制造變量。
按照電路流程安排各個功能電路單元的位置，使布局便于信號流通，并使信號盡可能保持一致的方向。
在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數。一般電路應盡可能使元器件并行排列，這樣不但美觀，而且裝旱容易，易于批量生產。
多層印制電路板中，可設置接地層，接地層設計成網狀。地線網格的間距不能太大，因為地線的一個主要作用是提供信號回流路徑，若網格的間距過大，會形成較大的信號環路面積。
地線阻抗的大小是由哪些參數決定的，RDC是導線上的直流電阻值，jwL是感抗。
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