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電纜的端口安裝浪涌電壓保護器實現基于2D迫近函數的圖形建模

發布時間:2021/8/31 0:39:55 訪問次數:131

在鰭片 (AA) 干法刻蝕工藝中,側壁會因刻蝕副產物的鈍化作用而出現錐形輪廓。

由于A點所處區域需要去除的硅要多于B點所處區域,A區域消耗的反應物更多,產生的副產物也會更多.這樣,在鰭片刻蝕后,A區域側壁的鈍化錐度就要超過B區域的側壁,這也就是AA形狀扭曲的原因。

鰭片刻蝕工藝中的AA形狀扭曲 (a) 刻蝕前硬掩膜的頂視圖;(b) A、B兩區域的圖形刻蝕對比;(c) 鰭片刻蝕后的頂視圖.

SEMulator3D采用創新的偽3D方法,實現基于2D迫近函數的圖形建模。

制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PQFN-8晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續漏極電流:100 ARds On-漏源導通電阻:990 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.8 VQg-柵極電荷:155 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.83 mm長度:6 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標:Infineon / IR產品類型:MOSFET4000子類別:MOSFETs單位重量:122.136 mg

浪涌泄放電流流過地線,為了保護設備免受浪涌電壓的損害,需要在電纜的端口安裝浪涌電壓保護器。

靜電放電電流當機殼上發生靜電放電時,放電電流會流過安全地線,由于靜電放電電流具有很高的頻率,地線呈現很大的感抗,因此會產生很高的地線電壓,造成嚴重的干擾問題。

當互聯設備處在較強的交變電磁場中時,根據電磁感應定律,交變磁場會在這個回路中產生感應電壓V=l(dp/dt),l是回路的電感,p是磁通量。在這個電壓驅動下,在設備1-互聯電纜-設備2-地形成的環路中感應出環路電流.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

在鰭片 (AA) 干法刻蝕工藝中,側壁會因刻蝕副產物的鈍化作用而出現錐形輪廓。

由于A點所處區域需要去除的硅要多于B點所處區域,A區域消耗的反應物更多,產生的副產物也會更多.這樣,在鰭片刻蝕后,A區域側壁的鈍化錐度就要超過B區域的側壁,這也就是AA形狀扭曲的原因。

鰭片刻蝕工藝中的AA形狀扭曲 (a) 刻蝕前硬掩膜的頂視圖;(b) A、B兩區域的圖形刻蝕對比;(c) 鰭片刻蝕后的頂視圖.

SEMulator3D采用創新的偽3D方法,實現基于2D迫近函數的圖形建模。

制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PQFN-8晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續漏極電流:100 ARds On-漏源導通電阻:990 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.8 VQg-柵極電荷:155 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.83 mm長度:6 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標:Infineon / IR產品類型:MOSFET4000子類別:MOSFETs單位重量:122.136 mg

浪涌泄放電流流過地線,為了保護設備免受浪涌電壓的損害,需要在電纜的端口安裝浪涌電壓保護器。

靜電放電電流當機殼上發生靜電放電時,放電電流會流過安全地線,由于靜電放電電流具有很高的頻率,地線呈現很大的感抗,因此會產生很高的地線電壓,造成嚴重的干擾問題。

當互聯設備處在較強的交變電磁場中時,根據電磁感應定律,交變磁場會在這個回路中產生感應電壓V=l(dp/dt),l是回路的電感,p是磁通量。在這個電壓驅動下,在設備1-互聯電纜-設備2-地形成的環路中感應出環路電流.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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