GaAs FET和MMIC固定增益模塊LLC諧振和有源鉗位反激變換器
發布時間:2021/8/31 22:17:17 訪問次數:364
MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝,分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。
因為GaN晶體管可以實現更高的開關頻率,新的集成功率系統封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%,并且具有很高的穩健性和可靠性。
MasterGaN3 的兩個 GaN 功率晶體管的導通電阻值 (Rds(on))不相等,分別為 225mΩ 和 450mΩ ,使其適用于軟開關和有源整流變換器。在 MasterGaN5 中,兩個晶體管的導通電阻值 (Rds(on))都是450mΩ,適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。
制造商:Texas Instruments產品種類:開關穩壓器RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-8拓撲結構:Inverting輸出電壓:- 5 V to - 1.5 V輸出電流:250 mA輸出端數量:1 Output最大輸入電壓:5.5 V最小輸入電壓:2.7 V靜態電流:100 uA開關頻率:2 MHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel輸入電壓:2.7 V to 5.5 V類型:Low Noise Regulated Switched Capacitor Voltage Inverter商標:Texas Instruments關閉:Shutdown負載調節:4.6 uV/mA濕度敏感性:Yes工作電源電流:370 uA產品類型:Switching Voltage Regulators250子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:2.7 V單位重量:11 mg
這些新設計結合使用GaAs FET和MMIC固定增益模塊,可在整個頻帶提供低噪聲系數和中等輸出功率。
新型可變增益放大器可在整個頻帶內提供20 dB的連續可變增益控制,從而增加動態范圍以及設置信號水平和優化系統級性能的能力。
此外,緊湊集成裝配設計減少了組件數量,降低了系統復雜性,”產品經理Tim Galla說。
這些放大器采用結實耐用的同軸封裝,支持SMA母頭或2.92mm連接器,旨在滿足包括海拔、振動、濕度和沖擊在內的一系列環境條件。
MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝,分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。
因為GaN晶體管可以實現更高的開關頻率,新的集成功率系統封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%,并且具有很高的穩健性和可靠性。
MasterGaN3 的兩個 GaN 功率晶體管的導通電阻值 (Rds(on))不相等,分別為 225mΩ 和 450mΩ ,使其適用于軟開關和有源整流變換器。在 MasterGaN5 中,兩個晶體管的導通電阻值 (Rds(on))都是450mΩ,適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。
制造商:Texas Instruments產品種類:開關穩壓器RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-8拓撲結構:Inverting輸出電壓:- 5 V to - 1.5 V輸出電流:250 mA輸出端數量:1 Output最大輸入電壓:5.5 V最小輸入電壓:2.7 V靜態電流:100 uA開關頻率:2 MHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel輸入電壓:2.7 V to 5.5 V類型:Low Noise Regulated Switched Capacitor Voltage Inverter商標:Texas Instruments關閉:Shutdown負載調節:4.6 uV/mA濕度敏感性:Yes工作電源電流:370 uA產品類型:Switching Voltage Regulators250子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:2.7 V單位重量:11 mg
這些新設計結合使用GaAs FET和MMIC固定增益模塊,可在整個頻帶提供低噪聲系數和中等輸出功率。
新型可變增益放大器可在整個頻帶內提供20 dB的連續可變增益控制,從而增加動態范圍以及設置信號水平和優化系統級性能的能力。
此外,緊湊集成裝配設計減少了組件數量,降低了系統復雜性,”產品經理Tim Galla說。
這些放大器采用結實耐用的同軸封裝,支持SMA母頭或2.92mm連接器,旨在滿足包括海拔、振動、濕度和沖擊在內的一系列環境條件。