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菊花鏈連接來分散控制多個高達850 VDC的伺服電機

發布時間:2021/9/10 21:36:12 訪問次數:217

Speedtec 623信號連接器可為電機控制和復雜機器功能監測提供理想的信號傳輸功能。

17針連接器具有125 V (AC/DC)額定電壓和7 A額定電流,并提供快速插拔型和和行業標準的M23螺紋型版本,均可采用法蘭或直角安裝。

Speedtec 723系列10針M23混合(電源和信號)連接器為定制應用提供多種配置,有單獨的屏蔽數據元件。

該連接器可通過菊花鏈連接來分散控制多個高達850 VDC的伺服電機,進而滿足更高的電氣強度要求。這款超級混合連接器可傳輸30 A的電流并能連接導線橫截面積高達4mm2的電纜。

制造商: Infineon

產品種類: 電源開關 IC - 配電

RoHS: 詳細信息

類型: High Side

輸出端數量: 1 Output

輸出電流: 9.5 A

電流限制: 37.5 A

導通電阻—最大值: 7 mOhms

運行時間—最大值: 550 us

空閑時間—最大值: 600 us

工作電源電壓: 5.5 V to 30 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-220-7

系列: High-Current PROFET

資格: AEC-Q100

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

Pd-功率耗散: -

產品: Power Switches

產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution

工廠包裝數量: 50

子類別: Switch ICs

電源電壓-最大: 30 V

電源電壓-最小: 5.5 V

商標名: PROFET

零件號別名: BTS50080-1TMB SP000385910

單位重量: 260.400 mg

TPS7H4002-SP是抗輻射加固的5.5V 3A同步降壓轉換器,通過高效和集成了高邊和低邊MOSFET具有最佳的小型化設計.

通過電流模式控制,降低了元件數量進一步節省了空間,而高開關頻率又降低了電感的占位面積.

抗輻射加固高達TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高達LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率為96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大輸出電流3A.

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)   


Speedtec 623信號連接器可為電機控制和復雜機器功能監測提供理想的信號傳輸功能。

17針連接器具有125 V (AC/DC)額定電壓和7 A額定電流,并提供快速插拔型和和行業標準的M23螺紋型版本,均可采用法蘭或直角安裝。

Speedtec 723系列10針M23混合(電源和信號)連接器為定制應用提供多種配置,有單獨的屏蔽數據元件。

該連接器可通過菊花鏈連接來分散控制多個高達850 VDC的伺服電機,進而滿足更高的電氣強度要求。這款超級混合連接器可傳輸30 A的電流并能連接導線橫截面積高達4mm2的電纜。

制造商: Infineon

產品種類: 電源開關 IC - 配電

RoHS: 詳細信息

類型: High Side

輸出端數量: 1 Output

輸出電流: 9.5 A

電流限制: 37.5 A

導通電阻—最大值: 7 mOhms

運行時間—最大值: 550 us

空閑時間—最大值: 600 us

工作電源電壓: 5.5 V to 30 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-220-7

系列: High-Current PROFET

資格: AEC-Q100

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

Pd-功率耗散: -

產品: Power Switches

產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution

工廠包裝數量: 50

子類別: Switch ICs

電源電壓-最大: 30 V

電源電壓-最小: 5.5 V

商標名: PROFET

零件號別名: BTS50080-1TMB SP000385910

單位重量: 260.400 mg

TPS7H4002-SP是抗輻射加固的5.5V 3A同步降壓轉換器,通過高效和集成了高邊和低邊MOSFET具有最佳的小型化設計.

通過電流模式控制,降低了元件數量進一步節省了空間,而高開關頻率又降低了電感的占位面積.

抗輻射加固高達TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高達LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率為96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大輸出電流3A.

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)   


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