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雙極MOSFET中同步Sub-6 GHz和mmWave基帶輔助功能

發布時間:2021/9/20 5:57:13 訪問次數:152

加速卡的構建方式使基礎設施供應商和運營商能夠利用高能效的5G、低延遲和高性能,同時促進蜂窩生態系統適應虛擬化無線接入網絡(RAN)。

該工具是一個PCIe內聯加速器卡,具有同步Sub-6 GHz和mmWave基帶輔助功能,它是為簡化5G部署而建立的,提供了一個預集成的解決方案,使5G NR第一層高(L1)和O-RAN前導處理的部署更加容易。

該PCIe卡的構建方式使其能夠連接到現成的商用(COTS)服務器,以取代原本需要CPU承擔的計算密集型和延遲敏感型5G基帶功能,如大容量、信道編碼、波束成形和解調部署所需的大規模MIMO計算。

制造商:Intel產品種類:以太網 ICRoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-64 EP產品:Ethernet PHYs標準:1GBASE-T收發器數量:1 Transceiver數據速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s接口類型:GMII, MII工作電源電壓:3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C系列:I211封裝:Tray商標:Intel長度:9 mm濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs工廠包裝數量:1子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.465 V電源電壓-最小:2.97 V寬度:9 mm零件號別名:925145單位重量:6 g

在ROHM此次開發的業界先進的雙極MOSFET中,采用了新工藝的、±40V耐壓的產品與普通產品相比,Pch部分的導通電阻降低多達61%,Nch部分的導通電阻也降低達39%,有助于降低各種設備的功耗。

具備只有雙極MOSFET才有的特點,有助于實現設備的小型化和縮短設計周期.

在小型化方面,如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET(SOP8)替換成新產品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

通過在一個封裝中內置兩枚器件,有助于設備的小型化和減少器件選型的時間。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

加速卡的構建方式使基礎設施供應商和運營商能夠利用高能效的5G、低延遲和高性能,同時促進蜂窩生態系統適應虛擬化無線接入網絡(RAN)。

該工具是一個PCIe內聯加速器卡,具有同步Sub-6 GHz和mmWave基帶輔助功能,它是為簡化5G部署而建立的,提供了一個預集成的解決方案,使5G NR第一層高(L1)和O-RAN前導處理的部署更加容易。

該PCIe卡的構建方式使其能夠連接到現成的商用(COTS)服務器,以取代原本需要CPU承擔的計算密集型和延遲敏感型5G基帶功能,如大容量、信道編碼、波束成形和解調部署所需的大規模MIMO計算。

制造商:Intel產品種類:以太網 ICRoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-64 EP產品:Ethernet PHYs標準:1GBASE-T收發器數量:1 Transceiver數據速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s接口類型:GMII, MII工作電源電壓:3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C系列:I211封裝:Tray商標:Intel長度:9 mm濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs工廠包裝數量:1子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.465 V電源電壓-最小:2.97 V寬度:9 mm零件號別名:925145單位重量:6 g

在ROHM此次開發的業界先進的雙極MOSFET中,采用了新工藝的、±40V耐壓的產品與普通產品相比,Pch部分的導通電阻降低多達61%,Nch部分的導通電阻也降低達39%,有助于降低各種設備的功耗。

具備只有雙極MOSFET才有的特點,有助于實現設備的小型化和縮短設計周期.

在小型化方面,如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET(SOP8)替換成新產品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

通過在一個封裝中內置兩枚器件,有助于設備的小型化和減少器件選型的時間。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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