RDS(on)×COSS(tr)這一FoM則在軟開關應用中至關重要，如果將UnitedSiC額定電壓為750V的器件與競爭對手額定電壓為650V的器件相比，前者的這個值比后者低約30%。

對于硬開關應用，SiC FET的集成體二極管在恢復速度和正向壓降方面優于競爭對手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術。

第4代技術中所包含的其他優勢，則是通過先進的晶圓減薄技術和銀燒結貼片工藝降低了從裸片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出，同時實現低芯片溫升。

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HSOF-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續漏極電流: 23 A

Rds On-漏源導通電阻: 22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 150 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 390 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

商標: Infineon Technologies

下降時間: 9 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數量: 2000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 150 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

零件號別名: IPT60R022S7 SP003330410

單位重量: 771.020 mg

小尺寸SMT同軸連接器MCX E型，它是小型（LP）卡邊緣連接器，支持回流焊，在PC板上方僅高出2.7mm ,在PC板下方僅有1.06mm。

它是最小可用的MCX型同軸連接器。它能在18GHz下提供50-W的性能。

這種連接器在插槽內有小的突出部分，能插進板上的焊盤孔，在回流焊過程中連接器鎖住在板上，不用粘合劑，同時也降低了焊點應力。

該連接器有陰陽兩種類型，接觸面鍍金。也可由用戶來選擇鍍層金屬。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）