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單個IC中集成了初級和次級控制器和安全級反饋功耗減小11%

發布時間:2021/11/13 20:30:15 訪問次數:609

InnoSwitch™4-CZ系列產品是有源箝位集成電路ClampZero系列配套產品,能大大提高反激電源轉換器的效率,特別是需要緊湊型尺寸的電源.

InnoSwitch4-CZ系列在單個IC中集成了初級和次級控制器和安全級反饋. 

獨特的控制算法可在DCM和CCM中使用ZVS,集成了強健的750VPowiGaNTM初級開關,穩態開關頻率高達140kHz最小化變壓器尺寸,具有同步整流驅動器和次級側檢測,集成了FluxLinkTM, HIPOT隔離和反饋鏈接,卓越的CV/CC精度,和外接元件無關,采用外接檢測電阻可調整精確的輸出電流檢測.

制造商Texas Instruments 系列 包裝卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷帶

零件狀態在售 FET 類型N 通道 技術MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss)40 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)19A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)4.3 毫歐 @ 22A,10V 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)32 nC @ 10 V Vgs(最大值)±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)2640 pF @ 20 V FET 功能- 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),120W(Tc) 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型表面貼裝型 供應商器件封裝8-VSONP(5x6) 封裝/外殼8-PowerTDFN

兩個片子和附加外部有源電路的RF解決方案相比,該器件降低RF材料清單成本25%,板的空間降低20%,而功耗減小11%。

器件的接收頻率在48-860MHz之間,能把所選擇的通道轉換成標準的中頻。所支持的中頻包括NTSC,PAL和數字標準如DOCSIS1.1,DOCSIS2.0和 EuroDOCSIS所用的頻率。

為了簡化評估,MT2050 RF參考設計包括所有要用的軟件和硬件。器件封在48引腳的MIL封裝,僅消耗1.5W的功耗。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

InnoSwitch™4-CZ系列產品是有源箝位集成電路ClampZero系列配套產品,能大大提高反激電源轉換器的效率,特別是需要緊湊型尺寸的電源.

InnoSwitch4-CZ系列在單個IC中集成了初級和次級控制器和安全級反饋. 

獨特的控制算法可在DCM和CCM中使用ZVS,集成了強健的750VPowiGaNTM初級開關,穩態開關頻率高達140kHz最小化變壓器尺寸,具有同步整流驅動器和次級側檢測,集成了FluxLinkTM, HIPOT隔離和反饋鏈接,卓越的CV/CC精度,和外接元件無關,采用外接檢測電阻可調整精確的輸出電流檢測.

制造商Texas Instruments 系列 包裝卷帶(TR)

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零件狀態在售 FET 類型N 通道 技術MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss)40 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)19A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)4.3 毫歐 @ 22A,10V 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)32 nC @ 10 V Vgs(最大值)±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)2640 pF @ 20 V FET 功能- 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),120W(Tc) 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型表面貼裝型 供應商器件封裝8-VSONP(5x6) 封裝/外殼8-PowerTDFN

兩個片子和附加外部有源電路的RF解決方案相比,該器件降低RF材料清單成本25%,板的空間降低20%,而功耗減小11%。

器件的接收頻率在48-860MHz之間,能把所選擇的通道轉換成標準的中頻。所支持的中頻包括NTSC,PAL和數字標準如DOCSIS1.1,DOCSIS2.0和 EuroDOCSIS所用的頻率。

為了簡化評估,MT2050 RF參考設計包括所有要用的軟件和硬件。器件封在48引腳的MIL封裝,僅消耗1.5W的功耗。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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