A-selection齊納二極管BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業應用的需求及監管要求，也可以支持Q產品組合器件。

低容差可提供更高精度的電壓，對應用的測試與測量尤其關鍵，可幫助工程師取代成本更高的電壓基準器件。相比直接保護MOSFET，另一種替代方案更為經濟，即將漏極-柵極路徑與齊納二極管并聯。

齊納二極管被擊穿后，MOSFET隨即導通，防止漏極-源極發生雪崩擊穿。

三芯片充電器解決方案最初是為了提高筆記本電腦適配器以及智能手機充電器等產品應用的性能而開發的。Diodes 具顛覆性的 UHPD 充電器解決方案能提供更小的尺寸、更高的效率與更低的待機功率。

組成這個解決方案的三個 IC 裝置包括 AP3306 主動鉗位返馳式控制器、APR340 同步整流 MOSFET 驅動器及 AP43771V USB Type-C® 電力傳輸 (PD) 譯碼器。三者合一能提供用戶更便攜、節能及環保的充電器設計選項。

SRN2012T型半屏蔽功率電感系列。 新型電感器在鐵氧體磁芯上采用繞線結構，工作溫度范圍為-40至+125 °C，卓越的自諧振頻率和低直流電阻可提供高感值和Q值。

加上緊湊的尺寸使該系列成為音頻耳機、真無線立體聲耳機、電纜調制解調器、機頂盒、硬盤驅動器、平板計算機和各種移動電子設備的射頻信號處理、諧振電路、去耦和噪聲濾波器以及直流電源線應用的最佳選擇。

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