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硬核GDDR6控制器所帶來的優勢提高存儲器帶寬

發布時間:2021/11/29 20:38:45 訪問次數:1672

氮化鎵(GaN)是下一代半導體材料,氮化鎵器件的開關速度比傳統的硅器件快20倍,在尺寸和重量減半的情況下,可實現高達3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導體的GaNFast™氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅動以及保護和控制功能,提供簡單、小型、快速和高效的性能表現。

GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應,包括電流和溫度的感知。

這項技術實現了正在申請專利的無損耗電流感應能力。與前幾代產品相比,GaNSense 技術可額外提高10%的節能效果,并能夠進一步減少外部元件數量,縮小系統的尺寸。

金融服務企業需要為過時的技術創建替代技術以解決當前的問題,并為未來創造機會。保險機構亦是如此。英國企業蘇黎世保險正在停用Lotus Notes,促使這家公司這樣做的原因有許多,包括:

成本:本地托管和維護費用導致成本上升

可用性:過時的UI/UX,沒有多渠道支持

技術阻礙:過時的功能,新功能和產品的集成存在障礙

治理:有太多影子IT方案圍繞Lotus Notes運行

傳輸數據的網絡帶寬和處理數據所需要的算力也必須急速增長。傳統的CPU已經越來越不堪重負,所以用硬件加速來減輕CPU的負擔是滿足未來性能需求的重要發展方向。

未來的硬件發展需求對于用于加速的硬件平臺提出了越來越高的要求,可以概括為三個方面:算力、數據傳輸帶寬和存儲器帶寬。

Achronix的新一代采用臺積電7nm工藝的Speedster 7t FPGA芯片根據未來硬件加速和網絡加速的需求,在這三個方面都做了優化,消除了傳統FPGA的瓶頸。


(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


氮化鎵(GaN)是下一代半導體材料,氮化鎵器件的開關速度比傳統的硅器件快20倍,在尺寸和重量減半的情況下,可實現高達3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導體的GaNFast™氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅動以及保護和控制功能,提供簡單、小型、快速和高效的性能表現。

GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應,包括電流和溫度的感知。

這項技術實現了正在申請專利的無損耗電流感應能力。與前幾代產品相比,GaNSense 技術可額外提高10%的節能效果,并能夠進一步減少外部元件數量,縮小系統的尺寸。

金融服務企業需要為過時的技術創建替代技術以解決當前的問題,并為未來創造機會。保險機構亦是如此。英國企業蘇黎世保險正在停用Lotus Notes,促使這家公司這樣做的原因有許多,包括:

成本:本地托管和維護費用導致成本上升

可用性:過時的UI/UX,沒有多渠道支持

技術阻礙:過時的功能,新功能和產品的集成存在障礙

治理:有太多影子IT方案圍繞Lotus Notes運行

傳輸數據的網絡帶寬和處理數據所需要的算力也必須急速增長。傳統的CPU已經越來越不堪重負,所以用硬件加速來減輕CPU的負擔是滿足未來性能需求的重要發展方向。

未來的硬件發展需求對于用于加速的硬件平臺提出了越來越高的要求,可以概括為三個方面:算力、數據傳輸帶寬和存儲器帶寬。

Achronix的新一代采用臺積電7nm工藝的Speedster 7t FPGA芯片根據未來硬件加速和網絡加速的需求,在這三個方面都做了優化,消除了傳統FPGA的瓶頸。


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