Nexperia計劃持續擴充SiC二極管產品組合，預計推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的產品。隨著人們的能源意識日漸增強，對于具備出色效率和功率密度的高功率應用的需求日益旺盛。而在這方面，硅將很快達到物理極限。

諸如氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導體現在能夠很好地滿足大批量應用的嚴格要求，為原始設備制造商帶來更高的效率和功率密度，降低系統成本和運營成本。

Nexperia廣泛的SiC二極管產品組合將為市場帶來更多選擇和便利性。

CS83702采用目前最先進的流片工藝；以及自身成熟穩定的Boost升壓，ClassD音頻功放電路設計；設置8.7V升壓黃金電壓點；再加上獨創的基于銅管技術+石墨烯散熱材料的EQA封裝。使得CS83702驅動4歐姆負載時效率高達90%/Po=10W/RL=4Ω/VBAT=3.7V.

HBM的第二代HBM2正式成為工業標準。HBM的出現也是為了解決存儲器帶寬問題。與GDDR6不同的是，HBM內存一般是由4個或者8個HBM的Die堆疊形成，我們稱之為一個Stack。

鑒于數據中心消耗了全球電力需求的1%左右。在此應用中，從主要能源來源到最終負載電壓的轉換效率的重要性毋庸置疑。為解決此問題，在較高的直流電電壓及其相應的較低電流下,使用有“中間總線”的電路圖進行配電,并用“負載點”直流轉換器提供最終電壓。

過去一直使用共源共柵的中間總線來盡量減小整個裝置各處的損耗，但是當前趨勢是從主交流電源生成48V的電壓，在此時搭配備用電池，然后直接在負載處將48V轉換成不到1V.這可以免除對第二個中間總線的需要，但是最終的大型降壓轉換率本身就帶來了效率問題，需要有高性能的半導體開關。

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