LoRa是在物理層中使用的調制技術，通過使用CSS調制實現遠程低功率通信，擁有很強的抗干擾能力和低信噪比水平。LoRaWAN與藍牙類似，但它為小數據包提供了更長的傳輸范圍，并且功耗較低。

根據LoRa聯盟的數據，截至2019年4月，全球55個國家已經建立了113個LoRaWAN網絡，而NB-IoT網絡約為90個。

在天然氣、水設施以及智能電表等公用事業，LoRaWAN的市場表現最為突出。根據ABI的調研，中國是智能表計項目中LoRaWAN的早期采用者，約占全球2018年出貨芯片的65%。

Tower半導體（Tower Semiconductor）的專業技術組合、地域覆蓋范圍、深厚的客戶關系及服務至上的經營理念，將有助于擴大英特爾的代工服務，并推進英特爾成為全球主要代工產能供應商的目標。

這項交易能讓英特爾提供極其廣泛的先進節點，并在成熟節點上提供差異化專業技術。在半導體需求空前高漲的時代，為現有和未來的客戶開啟全新機遇。

作為IDM 2.0戰略的重要一環，英特爾于2021年3月成立了英特爾代工服務事業部（IFS），基于美國和歐洲，面向全球客戶提供服務，以幫助滿足全球對半導體制造產能日益增長的需求。

英特爾代工服務（IFS）目前提供領先的制程工藝和封裝技術，在美國、歐洲及日后的世界其它地區的承諾產能，和廣泛的知識產權（IP）組合。

子單元存放時間較長的IGBT 器件子單元總洞空率范圍0.23%-9.41%，最大空洞率范圍0.04%- 4.9%；子單元存放時間較短的IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%，最大空洞率范圍0-0.33%，由此可見，子單元存放時間越短，空洞率范圍更小。

子單元存放時間長短會影響IGBT 焊接空洞率，存放時間越短顯著降低了較大空洞的比例，使得空洞率的分布更加均勻， 從而增加IGBT 器件可靠性。

目前針對來料存放時長的研究較少，本文通過實驗發現，采用短期存放子單元封裝的器件使子單元總空洞率由0.23% ～ 9.41% 減少到0 ～ 1.67%，提供了一種新的降低空洞率的方法和思路。