1.2GHz到1.4GHz頻率帶來達500W的突破性的RF輸出功率
發布時間:2022/6/27 20:24:08 訪問次數:80
NUS6189新器件,將過壓保護(OVP)電路的性能和功能、30V P溝道功率MOSFET、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到節省空間的一個3.0mmx4.0mmx0.9mm封裝之中。
這器件的過壓關閉時間短于1.0微秒,在故障發生時會極快地斷開輸入電源與負載之間的連接,因此它比現有關閉較慢的解決方案能提供更優異的保護性能。
L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管,該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。針對大范圍的L波段雷達應用,LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準(漏極效率大于50%)、增益(17dB)和達500W的耐用度。
FlexRay收發器產品根據FlexRay電氣物理層規范V2.1 Rev B而設計,并提供增強性能。有助于優化受限的FlexRay系統參數,從而為下一代車載網絡提供最高的可靠性。
憑借其無可比擬的抗擾特性及在提高FlexRay網絡穩定性上的突出表現,AS8221已在FlexRay用戶中享有盛譽。
TSH122可應用于移動視頻設備,包括數碼相機、照相手機和個人媒體播放器。新器件可工作效1.7mA的低電流,與同類器件相比吸收最低的待機電流,典型值僅僅4nA,最大500nA。
TSH122通過包含6階重構濾波器用于DAC采樣模糊衰減,節約了成本和電路板空間。
內部增益設置電阻進一步降低了器件數與電路板。還可以在輸出實現SAG校準,允許使用較小的耦合電容。器件在緊湊的2.2x2.4mm SC70-6(SOT323-6)封裝內實現了高級別集成度,最大化了PCB空間,使設計人員可以實現更多特性或降低最終產品的尺寸。
NUS6189新器件,將過壓保護(OVP)電路的性能和功能、30V P溝道功率MOSFET、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到節省空間的一個3.0mmx4.0mmx0.9mm封裝之中。
這器件的過壓關閉時間短于1.0微秒,在故障發生時會極快地斷開輸入電源與負載之間的連接,因此它比現有關閉較慢的解決方案能提供更優異的保護性能。
L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管,該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。針對大范圍的L波段雷達應用,LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準(漏極效率大于50%)、增益(17dB)和達500W的耐用度。
FlexRay收發器產品根據FlexRay電氣物理層規范V2.1 Rev B而設計,并提供增強性能。有助于優化受限的FlexRay系統參數,從而為下一代車載網絡提供最高的可靠性。
憑借其無可比擬的抗擾特性及在提高FlexRay網絡穩定性上的突出表現,AS8221已在FlexRay用戶中享有盛譽。
TSH122可應用于移動視頻設備,包括數碼相機、照相手機和個人媒體播放器。新器件可工作效1.7mA的低電流,與同類器件相比吸收最低的待機電流,典型值僅僅4nA,最大500nA。
TSH122通過包含6階重構濾波器用于DAC采樣模糊衰減,節約了成本和電路板空間。
內部增益設置電阻進一步降低了器件數與電路板。還可以在輸出實現SAG校準,允許使用較小的耦合電容。器件在緊湊的2.2x2.4mm SC70-6(SOT323-6)封裝內實現了高級別集成度,最大化了PCB空間,使設計人員可以實現更多特性或降低最終產品的尺寸。