DDR3解決方案基于高級50nm工藝和開發的2Gb存儲器件

發布時間:2022/6/27 20:27:56 訪問次數:400

兩款Samsung 2-gigabit (Gb) DDR3解決方案通過了Intel新款Core i7 (Nehalem) PC平臺的驗證。通過Intel驗證程序的2Gb DDR3器件是DDR3 SDRAM芯片(x8)以及用于臺式PC機的4-gigabyte (GB) 1066Mbps DDR3模塊。

全新經驗證的DDR3解決方案基于高級50nm工藝和開發的2Gb存儲器件。通過采用50nm級工藝，Samsung的2Gb DDR3模塊相對于1Gb DDR3能夠消耗少很多功耗，1.333Mbps時最大少40%。

Samsung與Intel密切的合作已經推動其最高級的DRAM技術和產品工藝的開發，從而能夠顯著改善系統系統，并滿足快速入市的需求。

L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括：

500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100s脈沖寬度，25%占空比時）

17dB增益

50%漏極效率

更佳耐用度

能夠承受高達5dB的過驅動能力

更佳脈沖頂降(低于0.2dB)

供電電壓50V

無毒封裝、符合ROHS標準

人體體內電阻一般為定值,約0.5kΩ,而皮膚電阻則是組成人體電阻的最大部分,通常為1~2kΩ,但是會隨著皮膚薄厚、皮膚潮濕、皮膚出汗、皮膚損傷、皮膚表層導電粉塵、皮膚與帶電體接觸面、皮膚與帶電體接觸壓力等因素的變化,皮膚電阻也會發上相應變化。

另外,觸電者本身的身體狀況也是影響傷勢的原因之一。

狀態和錯誤標記可通過主機接口讀取。現有的總線監控接口有助于器件管理，一旦出現故障，總線發送器可以完全切斷通信。