這個創新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒有的。

更高的存儲器集成度可以減少終端產品的物料清單(BoM)成本，縮短上市時間，增加應用價值，并實現尺寸更小的超低功耗模塊，從而延長電池使用壽命。

作為一個全新的開發成果，串行頁EEPROM整合意法半導體的e-STM 40nm非易失性存儲器(NVM)單元專利技術與新的智能存儲頁架構，兼備高存容量、字節擦寫靈活性和高耐擦寫次數，既有利于固件管理，又能簡化數據記錄。

SCHRACK 力引導繼電器產品組合可用于安全相關應用，其中包括安全聯鎖、緊急停止開關和機器人控制系統等。除了工業應用之外，FGR也可應用于各種控制系統，包括電梯門控制、鐵路信號系統和醫療診斷設備等。

SCHRACK 產品系列具有多種靈活的設計選項，例如可提供多種觸點配置、不同的觸點電鍍選項以及各種引腳布局，以實現更高的額定電壓。標準和敏感線圈選項則能夠提供更長的使用壽命，以及更加優化和改進的散熱曲線。

顯示了SCHRACK FGR產品系列，其中包括從2極的SR2M系列到7極的SRL7系列。

新產品還具有讀取、擦除和寫入時間短的特點，上傳下載速度快可以降低制造成本，減少應用停機時間。快速上電和四路輸出讀操進一步加快應用喚醒速度。

這些器件非常適合實現多合一非易失性存儲器，用于工業物聯網模塊、可穿戴設備、醫療健康、電子價簽、智能表計和5G光纖模塊等新系統設計。

此外，眾所周知，ZCS/SSR是目前所用開關方法中造成破壞性和有害電磁干擾(EMI)的潛在來源，要實現 ZCS/SSR功能安全的合規性，需要對半導體電路進行復雜的監控。