3G應用的W-CDMA/UMTS單片RF收發器以及用于PC和服務器的DRAM新型存儲器，第二代DDR(DDR2)存儲器產品。

現在可提供512MbDDR2 SDRAM樣品。它的數據速率可達到400Mbps,533Mbps 和677Mbps。存儲器模塊可采用533Mbps速率來設計，帶寬達到4.3GBps。

它的低電流消耗能進一步增加新型3G手機的待機時間和通話時間。該高集成度的芯片，和采用獨立的接收器/發送器相比，大大地減少了元件數和PCB的空間。它采用零差結構，極大地簡化了頻率編制，消除了IF級和由此需要的SAW濾波器。它是40引腳P-VQFN封裝，間距0.5mm。

ADN2849有3V單端輸出，驅動電吸收調制器。ADN2859有6V峰-峰差分輸出，驅動Mach-Zehnder調制器。兩種IC驅動器的功耗為900mW(2V擺幅，1V失調)，是其它解決方案的1/3。兩種器件是小型4x4mm LFCSP封裝。

與反激式轉換器一樣，雙開關正激式轉換器僅使用一個磁極。LLC轉換器同時使用兩者，因此在所有條件相同的情況下，對于給定的功率水平，它通常更小。

TPS54680由于集成了所有需要的有源元件，因而有最高的性能。SWIFT DC/DC轉換器TPS54x80系列有兩個能在整個工作溫度范圍內連續提供高達9A輸出電流的MOSFET。

轉換器能把電壓調整到像0.891V那樣低，采用TRACKIN引腳和復接器能實現三種不同次序方法：瞬時，順序或比例順序。

TPS54x80 SWIFT轉換器的主要性能有：用于先后順序的加電/下電掃描；低Rds(on)同步降壓MOSFET開關，能在滿負載時有高效率；PWM頻率寬，固定頻率為350kHz，可調從280kHz 到700kHz；功率良好狀態和使能功能；峰值電流限制和熱關斷，以保護負載。

來源：eccn.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考