控制極與發射極之間正向阻值為8kΩ,反向阻值為5kΩ左右。若實際檢瀾時,楹涮值與正常值有很大差異,則說明該IGBT損壞。

另外,有墊IGBT內部集成有限尼二極懵,困此檢湖集電極與發射極之閘的阻值受內部阻尼二極督的影響,發射極與集電極之間二極管的正向阻值為8kΩ(拌機數值)”反向阻值為無窮大。

溫度傳感帶的檢修,電磁爐中的溫度檢測傳感器主要包括爐面溫度檢測傳感器和IGBT溫度檢測傳感器兩種,這兩種傳感器均采用熱敏電阻器實現溫度檢測。

溝道材料一般為多晶硅薄膜,要求具有很好的結晶度和較大的晶粒,同時還需要與柵介質之間有低缺陷密度的界面。作為一種電荷俘獲存儲器,存儲單元之間幾乎沒有耦合效應。

編程和擦除操作分別使用了電子和空穴的FN隧穿。

為了提高擦除速度,隧穿層通常會使用基于氧化硅和氮氧化硅材料的疊層結構。存儲層一般是以氮化硅為主的高陷阱密度材料。

為了降低柵反向注入,阻擋層則會使用氧化硅或氧化鋁等材料。

電磁爐中的許多檢測信號的比較、判斷及產生都是由該芯片完成的。

電壓比較器LM339是電磁爐爐盤線圈正常工作的基本條件元件,若該元件異常,將引起電磁爐不加熱或加熱異常故障。

檢測電壓比較器LM339時,通常可在斷電條件下用萬用表檢測各引腳對地阻值的方法判斷好壞。

電磁爐中電壓比較器的檢測方法,將實測結果與正常結果相比較,若偏差較大,則多為電壓比較器內部損壞。一般情況下,若電壓比較器引腳對地阻值未出現多紐數值為零或為無窮大的情況,基本屬于正常。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com