通過2000小時高溫反偏測試和2000次熱循環溫度循環測試
發布時間:2024/7/28 15:00:02 訪問次數:762
在10V電壓下，600V CoolMOS™8 SJ MOSFET的柵極電荷（Qg）較CFD7降低了18%，較 P7降低了33%。在400V電壓下，該產品系列的輸出電容COSS較CFD7和P7降低了50%，關斷損耗（Eoss） 較CFD7和P7降低了12%，反向恢復電荷（Qrr）較CFD7降低了3%。
此外，這些器件的反向恢復時間（trr）更短，熱性能較上一代產品提高了14%至42%。
由于優化了RDS(on)，這些半導體器件擁有更高的功率密度，能使采用硅基超級結（SJ）技術的產品降低到7mΩ的個位數值。
16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。
此外，D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI ³ 600的塑封料，確保電壓升高時優異的絕緣性能。
器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環溫度循環測試。
串行接口主要應用了差分信號傳輸技術，具有功耗低、抗干擾強，速度快的特點，諸如PCI Express（PCIe）Gen4等串行鏈路接口的數據傳輸率將達到雙位千兆級傳輸速率。
由此，器件建模、互連建模和分析方法必須不斷發展，以應對不斷減小的設計余量和當今工程師面臨的更具挑戰的合規標準。
為了降低風險并優化設計，將分析盡可能地推向上游至關重要，以實現權衡、可行性研究、元件選擇和約束獲取。
SPC5743PFK1AMLQ9
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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此外，這些器件的反向恢復時間（trr）更短，熱性能較上一代產品提高了14%至42%。
由于優化了RDS(on)，這些半導體器件擁有更高的功率密度，能使采用硅基超級結（SJ）技術的產品降低到7mΩ的個位數值。
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此外，D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI ³ 600的塑封料，確保電壓升高時優異的絕緣性能。
器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環溫度循環測試。
串行接口主要應用了差分信號傳輸技術，具有功耗低、抗干擾強，速度快的特點，諸如PCI Express（PCIe）Gen4等串行鏈路接口的數據傳輸率將達到雙位千兆級傳輸速率。
由此，器件建模、互連建模和分析方法必須不斷發展，以應對不斷減小的設計余量和當今工程師面臨的更具挑戰的合規標準。
為了降低風險并優化設計，將分析盡可能地推向上游至關重要，以實現權衡、可行性研究、元件選擇和約束獲取。
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