硅表面金屬納米線形成機理研究取得新進展
發布時間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數:477
| 科研機構>基礎研究領域>物理研究所" onclick="winopen('/index/0r/11/11/21/index.htm')" href="javascript:void(0)">中國科學院物理研究所的王建濤副研究員、王恩哥研究員、王鼎盛研究員以及他們的日本合作者近年來系統地研究了半導體si(001)表面bi納米線的結構穩定性。最近，他們又系統地研究了第v族元素(bi、sb)在si表面上形成“5-7-5 double-core odd-membered ring” 納米線的機理，提出了“dynamic ad-dimer twisting assisted nanowire self-assembly” 新模型，揭示了表面吸附原子(活性劑)和襯底之間的反應機制。這一成果為在半導體硅表面上制備金屬納米線提供了理論支持，對理解硅表面結構及有關物性具有廣泛的科學意義。有關成果發表在2005年6月10日出版的physical review letters 94, 226103 (2005)上。 據悉，硅作為最基本的半導體材料，其半導體表面結構以及表面吸附原子在其表面上的自組裝研究是物理理論和實驗科學工作者長期以來共同關注的重要課題之一。實驗方面一維金屬元素bi、sb等二聚物(dimer)直鏈在si(100)表面以及一維co原子線在pd表面的制備獲得成功。這些新型金屬、半導體納米線為制備構筑納米光電子與分子器件的結構單元提供了重要技術支持。 |
| 科研機構>基礎研究領域>物理研究所" onclick="winopen('/index/0r/11/11/21/index.htm')" href="javascript:void(0)">中國科學院物理研究所的王建濤副研究員、王恩哥研究員、王鼎盛研究員以及他們的日本合作者近年來系統地研究了半導體si(001)表面bi納米線的結構穩定性。最近，他們又系統地研究了第v族元素(bi、sb)在si表面上形成“5-7-5 double-core odd-membered ring” 納米線的機理，提出了“dynamic ad-dimer twisting assisted nanowire self-assembly” 新模型，揭示了表面吸附原子(活性劑)和襯底之間的反應機制。這一成果為在半導體硅表面上制備金屬納米線提供了理論支持，對理解硅表面結構及有關物性具有廣泛的科學意義。有關成果發表在2005年6月10日出版的physical review letters 94, 226103 (2005)上。 據悉，硅作為最基本的半導體材料，其半導體表面結構以及表面吸附原子在其表面上的自組裝研究是物理理論和實驗科學工作者長期以來共同關注的重要課題之一。實驗方面一維金屬元素bi、sb等二聚物(dimer)直鏈在si(100)表面以及一維co原子線在pd表面的制備獲得成功。這些新型金屬、半導體納米線為制備構筑納米光電子與分子器件的結構單元提供了重要技術支持。 |
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