同步dram的信號類型如圖1所示，其中存在時鐘（clk）、時鐘使能（cke）以及存儲塊（bank）編號指定等若干信號的更改，但可以看出，同步dram沿用了異步dram的信號。sdram將內部分割為若干個存儲塊，這是sdram的一大特征。

　　圖1 sdram的信號

　　作為4m字×16位×4塊（156m位）結構的sdram的例子，日立的hm5225165b的引腳配置與框圖分別如圖2及圖3所示。

　　圖2 hm5225165b的引腳配置

　　圖3 hm5225165b的框圖

　　接著，我們針對這些信號進行簡單的說明。

　　1. a0～a12（地址）

　　這是地址總線，與異步dram相同分為行地址與列地址。當賦予行地址時，使用a0～a12；當賦予列地址時，使用a0～a8（列地址時的a9～a12為無效），一頁具有512字（word），而且由于具有4個存儲體，所以在同一行地址可以訪問2k字的區域。

　　a10也作為指令被應用，是比較特殊的引腳。當進行讀／寫操作時，在賦予列地址的時候，a10成為是否進行自動預充電操作（后述）的選擇信號的輸人引腳。hm5225165b不利用a10作為列地址，但相同容量的16m字×4位×4塊結構的hm5225405b則利用列地址a0～a9以及a11共計11位，a0為指定自動預充電。

　　另外，同步dram具有模式寄存器，可以進行突發傳輸操作的設定以及cas延遲（發出讀指令后，數據被輸出前的時鐘數）的指定等，指定時，為了進行寄存器值的設定，a0～a12以及ba0，ba1被利用。

　　2. ba0、ba1（存儲塊地址）

　　hm5225165內部被分割為4個存儲塊，各個存儲塊可獨立進行操作。例如，它可以采用這樣的方法進行訪問，即為一個存儲塊提供行地址后，再為其他的存儲塊提供其他的行地址，然后再一次返回最初的存儲塊，提供列地址從而進行訪問。

　　利用ba0、ba1指定存儲塊，雙方都是低電平時，存儲塊0被選擇；當ba0是高電平而ba1為低電平時，存儲塊1被選擇；相反，ba0是低電平而ba1是高電平時，存儲塊2被選擇；當雙方都是高電平時，存儲塊3被選擇。

　　3. clk（時鐘輸入）

　　這是時鐘輸人信號。所有的信號輸入輸出都是與該時鐘的上升沿同步進行的。

　　4. cke（時鐘使能）

　　這是決定下一周期的時鐘是否有效的引腳，一般保持在高電平狀態，但加人到省電模式及自刷新中時，可將其設置為低電平，以使系統處于非操作狀態。

　　5. cs（片選）

　　這是片選輸入信號。當該引腳無效（成為高電平）時，輸入信號被忽略。內部操作（存儲塊激活及突發操作）本身即使當cs處于高電平狀態時，也將被執行。

　　當該引腳有效（成為低電平）時，所賦予的控制信號及地址等是有效的。

　　6. ras、cas、we

　　雖然名稱本身與以前的異步dram相同，在某種程度上感覺是在異步dram中的處理方式，但功能上具有相當大的差別，它采用結合3條信號線指示操作的方法，詳細說明將在后面進行。

　　7. dqmu／dqml（dq mask high／law）

　　利用該信號進行數據位的屏蔽，dqmu對應于dq8～dq15，dqml對應于dq0～dq7。讀操作時，如果該信號為高電平，則數據位被屏蔽，輸出緩沖器變為高阻抗狀態，不能進行數據輸出。寫操作時，如果該信號為高電平，則不能向相應位的內部存儲器單元進行寫入。如果該信號為低電平，則讀操作時dqn被驅動，寫操作時可向內部單元進行寫人操作。

　　8. dq0～dq15（數據）

　　這是數據輸人輸出引腳，dq0～dq7是低位字節，dq8～dq15為高位字節，分別通過dqml及dqmu進行存取屏蔽，因此可以以8位為單位進行輸人輸出。

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