光生載流子產生率
發布時間:2008/12/3 0:00:00 訪問次數:1440
考慮到入射光在表面的反射率為r，則半導體表面（y=0）處光強p0，為
式中， popt為入射光強度，這時半導體中的光吸收由式（3－6）改寫成：
入射光能量hv>eg時，光強在半導體中由于本征吸收呈指數形式衰減，吸收所產生的電子－空穴對的產生率g（y）可以表示為
式中， a為入射光橫截面積，hv為光子能量。當△y很小趨于零時，（p（y）－p｛y＋△y｝））/a）=－dp（y）/dy，同時由式（3-8）得dp（y）/dy＝－ap（y），因此每單位體積的電子ˉ空穴對產生率g（y）可以進一步表示為
歡迎轉載，信息來源維庫電子市場網（www.dzsc.com）
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式中， popt為入射光強度，這時半導體中的光吸收由式（3－6）改寫成：
入射光能量hv>eg時，光強在半導體中由于本征吸收呈指數形式衰減，吸收所產生的電子－空穴對的產生率g（y）可以表示為
式中， a為入射光橫截面積，hv為光子能量。當△y很小趨于零時，（p（y）－p｛y＋△y｝））/a）=－dp（y）/dy，同時由式（3-8）得dp（y）/dy＝－ap（y），因此每單位體積的電子ˉ空穴對產生率g（y）可以進一步表示為
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