在功率為15 w疝燈背入射下，測得光譜響應曲線如圖1所示，峰值響應波長為286 nm，適合在太陽盲區工作。圖中六條不同曲線分別表示在0v、-1v、-2v、-3v、-4v、-5v偏壓下的響應度，在沒有偏壓下響應度為14.8 ma/w，相應的外量子效率為6.4%。在-5v偏壓下響應度可達55 ma/w，外量子效率和內量子效率分別為22.5%和28.1%。

　　由于alxga1-xn中mg的激活能隨會al組分而變化，如圖1所示al組分越高，mg的激活能也就越大。這樣在高al組分的p-al 0.4ga 0.6n層中，由于離化的受主濃度較低導致該層電阻變大，大的電阻不利于提高工作速度。為了解決這一問題，通常采用al,ga1-xn/gan超晶格結構以減小mg的有效激活能，從而提高自由空穴濃度[33~34]。超晶格中強的電場強度使得能帶呈鋸齒形狀，這使得有些受主能級低于費米能級，從而降低了離化能提高了空穴濃度。

　　目前gan基器件遇到的主要障礙是缺少外延生長所需的良好晶格匹配的襯底。高質量的gan晶體生長需要高溫高壓過程，而這是傳統的生長工藝技術所不具備的。因此目前常用的生長技術是在藍寶石或者硅化物襯底上通過mocvd或mbe進行外延生長。然而藍寶石和硅化物與gan存在較大的晶格失配和熱失配，應力層的缺陷態密度達到了10-cm^-2。通過氫化物化學氣相淀積（hydride vapor phase epitaxy,hvpe）和外延側向過生長（epitaxial lateralovergrowth，el0）可使缺陷態密度降到106cm^-2。隨著這些新的外延生長技術的成熟，gan基器件的性能將會更加完善。

　　圖1 不同偏壓下（-5~0v）響應度隨波長變化曲線

　　圖2 alga1-xn中mg的激活能隨al組分變化曲線

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