為了提高工作速度和響應度，往往采用pin結構。pin結構gan紫外光電探測器具有以下優點：（1）由于高的勢壘，因此有較低的暗電流；（2）工作速度高；（3）高阻抗適于焦平面陣列讀出電路；（4）通過調整本征層的厚度可以調整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏壓下或者零偏壓下工作[12]。在pin結構中，本征層起到了至關重要的作用，其厚度需要認真優化，因為它既影響了效率又影響了器件速度。圖3－25是一種常見的gan πn光電探測器結構四，首先在600°c下淀積⒛nm厚的低壓緩沖層到藍寶石稱底，接著淀積500 nm厚的n￣al0.5ga0.5n層，然后生長本征層1.al 0.4ga 0.6n。本征層al0.4ga0.6n是為了能探測到280 nm波長的太陽盲區紫外光（小于300 nm的紫外線波長稱為地球大氣盲區）。為了減少位錯和缺陷，避免陡峭的異質結勢壘，al的摻雜含量從n-al0.5ga0.5n層的50%到1al.46a。滬的40%是逐漸過渡的，其過渡層厚度為17 nm。厚度為100 nm的摻mg的p-al0.4ga0.6n隨后被淀積到本征層，最后淀積5 nm厚的p-gan。這層p-gan是為了改善歐姆接觸，為了減少光吸收該層厚度應該盡量減小。同樣，在p-al6.4ga0.6n和pˉgan層之間也有一個al含量變化過渡層。半透明的ni/au金屬作為p型接觸電極，ti/au金屬作為n型接觸電極。

　　圖1 gan pin光電探測器結構

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