圖顯示了一種簡單分步重復光刻系統。掩模版放在聚焦透鏡和投影系統之間，掩模圖像是被縮小了5～10倍投影到襯底晶片上的。這種光學系統有很多優點：第一，可以利用大得多的特征尺寸繪制掩模圖形，例如在制作了特征尺寸為0.1 μm的圖形，可以在掩模上用1μm的線寬，相對來說容易很多；其次，由于縮小作用，一次曝光可以只用到晶片上的一小部分。步進光刻機采用的是投影掩模版，上面包含了一個曝光場內對應一個或多個芯片的圖形。為了曝光整個晶片，每次曝光以后都需要一定晶片來使下一個芯片區域移動到投影照射區域，因此稱為分步重復光刻。

　　圖 一個簡單的步進光刻系統示意圖

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