對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經達到了小于0.1 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5 gm左右。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子可以進行x、y方向及旋轉的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察，這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經過紫外光曝光，光線通過掩模版透明的部分，圖形就轉移到了光刻膠上。接觸式光刻機的主要缺點是依賴于人操作，由于涂覆光刻膠的圓片與掩模的接觸會產生缺陷，每一次接觸過程，會在圓片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，接觸式光刻機一般用于能容忍較高缺陷水平的器件研究和其他應用方面。

　　為了避免產生缺陷，接近式光刻機就得以發展起來。在接近式光刻中，連續復制整個晶片圖形，掩模版與光刻膠不直接接觸，而是存在大致2.5μm到25μm的間距。掩模浮在晶片表面，一般在一層氮氣氣墊上。晶片與掩模的間隙受進入的氮氣流控制。通過這個間隙接近式光刻在一定程度上緩解了接觸式光刻機的玷污問題，但是導致了分辨率的下降，從而使減小線寬特征尺寸成了主要問題。

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