我們所用的膜層材料為sino系材料，圖1為鍍sin膜所得的實驗結果。曲線1為鍍膜前外延片的反射譜，曲線2和3 分別對應膜厚為95 nm和135 nm的情形，膜厚度用橢偏儀測出。從曲線1可知，片子的e－lh峰在840 nm，e－hh峰 在848 nm，模式波長的位置在832 nm。對于常通型調制器，模式波長的位置應在e￣hh峰的長波長方向；而常關型 器件，模式波長的位置應在e-hh峰附近，而且頂部必須鍍減反膜，否則器件會工作在飽和區，降低器件的調制特 性。由于模式波長位置不合適，先采用鍍sino減反膜的方法來移動模式波長。

圖1 鍍sin膜前后器件的反射譜

　　由曲線2膜厚95 nm的反射譜可知，模式波長發生了移動，但由于表面反射率降低，asfp腔的諧振吸收作用和激 子吸收相比，作用比較弱，因而在曲線上看不到明顯的模式波長位置。用橢偏儀測量可知，膜層折射率為1.8左右 ，由理論計算可知模式波長大約移動10 nm，在842 nm左右。鍍膜后，e-hh峰處的反射率明顯降低，此時雖然模式 波長沒有在e-hh峰位置，但由于模式波長距激子峰比較近使得e-hh峰附近的反射率降低很多。

　　由曲線3膜厚為135 nm的反射譜可知，與鍍膜前的模式波長相比，鍍膜后模式波長反而減小了，從原來的832 nm 變到820 nm。膜層折射率為1.8，從以上的理論分析可知，當折射率為1.8，膜厚增加到135 nm時，模式波長會下 降約10 nm，曲線3應屬于這種情況。

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