元件的可靠性設計
發布時間:2012/4/21 20:08:40 訪問次數:728
在模擬集成電路中，有時需M3406要耐高壓，所以要正確設計各元件的耐壓能力。對雙極IC，要求BⅥb。和BK。。滿足耐壓要求，而BK：E。和BKb。主要取決于外延層的厚度、電阻率、結深。圖2. 14給出了PN結摻雜濃度、結深與擊穿電壓的關系。MOSIC可采用LD MOS、IGT、LIGBT等結構。
電流容量是元件可靠性設計的一個基本內容。對于要求工作在線性區的雙極NPN管，一般單位發射結長度上耐流口為0.04～0.1 6mA／rum，而對于邏輯電路，口可取0.1～0.4；對于橫向PNP管，d僅有0.001～0. 008mAlUm。流過電阻上的電流過大會使電阻條燒斷，或使其性能下降。
在模擬集成電路中，有時需M3406要耐高壓，所以要正確設計各元件的耐壓能力。對雙極IC，要求BⅥb。和BK。。滿足耐壓要求，而BK：E。和BKb。主要取決于外延層的厚度、電阻率、結深。圖2. 14給出了PN結摻雜濃度、結深與擊穿電壓的關系。MOSIC可采用LD MOS、IGT、LIGBT等結構。
電流容量是元件可靠性設計的一個基本內容。對于要求工作在線性區的雙極NPN管，一般單位發射結長度上耐流口為0.04～0.1 6mA／rum，而對于邏輯電路，口可取0.1～0.4；對于橫向PNP管，d僅有0.001～0. 008mAlUm。流過電阻上的電流過大會使電阻條燒斷，或使其性能下降。
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