提高GaAs FET器件所能承受的最高工作結溫
發布時間:2012/4/28 20:07:42 訪問次數:1865
提高GaAs FET器件承受結溫的工作2SC3425主要體現在三個方面：首先是通過提高GaAs FET器件的功率附加效率來減小管芯的熱耗散；第二是通過優化管芯的熱設計減小管芯的熱阻；第三是通過管芯工藝的優化，提高管芯所能承受的最高工作結溫。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進器件的微結構。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結構材料的外延生長相對簡單，容易控制，其導電溝道的厚度不受贗配晶格生長存在臨界厚度所限制，因而該器件表現出足夠的電流處理能力，同時在大信號工作時，其導電溝道的擴展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號工作時導電溝道擴展到AIGaAs層，因而該器件表現出更好的線性，另外該器件的肖特基勢壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時還克服了AIGaAs作為勢壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應退化機理密切相關的。GaAs/InGaAs功率HFET在結構上的優勢使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優勢，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過優化HFET管芯的熱設計來實現，這主要體現在將HFET的柵柵間距由原來的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來的12_um提高到20rum。通過以上設計，HFET的熱阻減小為原設計的60%左右。
(3)優化管芯工藝
在設計時就要考慮如何通過管芯工藝的優化，來提高管芯所能承受的最高工作結溫。要達到這個目的，在管芯工藝中盡量避免可能對器件的高溫可靠性有影響的低溫過程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進器件的微結構。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結構材料的外延生長相對簡單，容易控制，其導電溝道的厚度不受贗配晶格生長存在臨界厚度所限制，因而該器件表現出足夠的電流處理能力，同時在大信號工作時，其導電溝道的擴展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號工作時導電溝道擴展到AIGaAs層，因而該器件表現出更好的線性，另外該器件的肖特基勢壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時還克服了AIGaAs作為勢壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應退化機理密切相關的。GaAs/InGaAs功率HFET在結構上的優勢使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優勢，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過優化HFET管芯的熱設計來實現，這主要體現在將HFET的柵柵間距由原來的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來的12_um提高到20rum。通過以上設計，HFET的熱阻減小為原設計的60%左右。
(3)優化管芯工藝
在設計時就要考慮如何通過管芯工藝的優化，來提高管芯所能承受的最高工作結溫。要達到這個目的，在管芯工藝中盡量避免可能對器件的高溫可靠性有影響的低溫過程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
提高GaAs FET器件承受結溫的工作2SC3425主要體現在三個方面：首先是通過提高GaAs FET器件的功率附加效率來減小管芯的熱耗散；第二是通過優化管芯的熱設計減小管芯的熱阻；第三是通過管芯工藝的優化，提高管芯所能承受的最高工作結溫。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進器件的微結構。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結構材料的外延生長相對簡單，容易控制，其導電溝道的厚度不受贗配晶格生長存在臨界厚度所限制，因而該器件表現出足夠的電流處理能力，同時在大信號工作時，其導電溝道的擴展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號工作時導電溝道擴展到AIGaAs層，因而該器件表現出更好的線性，另外該器件的肖特基勢壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時還克服了AIGaAs作為勢壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應退化機理密切相關的。GaAs/InGaAs功率HFET在結構上的優勢使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優勢，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過優化HFET管芯的熱設計來實現，這主要體現在將HFET的柵柵間距由原來的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來的12_um提高到20rum。通過以上設計，HFET的熱阻減小為原設計的60%左右。
(3)優化管芯工藝
在設計時就要考慮如何通過管芯工藝的優化，來提高管芯所能承受的最高工作結溫。要達到這個目的，在管芯工藝中盡量避免可能對器件的高溫可靠性有影響的低溫過程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進器件的微結構。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結構材料的外延生長相對簡單，容易控制，其導電溝道的厚度不受贗配晶格生長存在臨界厚度所限制，因而該器件表現出足夠的電流處理能力，同時在大信號工作時，其導電溝道的擴展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號工作時導電溝道擴展到AIGaAs層，因而該器件表現出更好的線性，另外該器件的肖特基勢壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時還克服了AIGaAs作為勢壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應退化機理密切相關的。GaAs/InGaAs功率HFET在結構上的優勢使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優勢，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過優化HFET管芯的熱設計來實現，這主要體現在將HFET的柵柵間距由原來的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來的12_um提高到20rum。通過以上設計，HFET的熱阻減小為原設計的60%左右。
(3)優化管芯工藝
在設計時就要考慮如何通過管芯工藝的優化，來提高管芯所能承受的最高工作結溫。要達到這個目的，在管芯工藝中盡量避免可能對器件的高溫可靠性有影響的低溫過程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
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- 4-27干法腐蝕中的損傷效應及其工藝控制要求
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