改善器件和組件的散熱
發布時間:2012/4/28 20:10:08 訪問次數:526
改善器件和組件的散ADXRS652BBGZ熱可從下述三個方面的措施來實現：
①通過整體結構的優化設計改善組件的散熱性能。
②改進管殼結構設計，采用鎢銅替代原來的無氧銅作為管殼的底座，利用鎢銅與可伐側墻之間較好的熱匹配，減小管殼底座在高溫燒結過程中的形變，改善管殼與散熱器之間接觸，降低熱阻。
③采用AuSn合金作為貼片工藝的材料，改善HFET與管殼之間的散熱。
試驗結果表明，以上各方面的設計改進工作對提高功放組件的高溫可靠性的效果很顯著，該組件不僅順利通過環境溫度60℃（殼溫80℃）連續工怍500小時的壽命試驗，而試驗前后輸出功率變化量已在0. 3dB以內，試驗后輸出功率仍然達10W以上，達到并超過了預期設計目標。
為了降低器件的峰值結溫，提高器件的抗失配能力和長期可靠性，以達到可靠性指標要求，在設計階段還綜合采用了以下幾種技術：
①外延層采用雙層外延技術。
②離子注入鎮流電阻技術。
③鎮流電阻優化設計技術。
④發射極布局的優化設計技術。
⑤采用覆蓋結構配合厚的電鍍層技術。
⑥采用雙層金屬技術。
⑦較大的輸出功率余量設計技術。
⑧冗余技術。
①通過整體結構的優化設計改善組件的散熱性能。
②改進管殼結構設計，采用鎢銅替代原來的無氧銅作為管殼的底座，利用鎢銅與可伐側墻之間較好的熱匹配，減小管殼底座在高溫燒結過程中的形變，改善管殼與散熱器之間接觸，降低熱阻。
③采用AuSn合金作為貼片工藝的材料，改善HFET與管殼之間的散熱。
試驗結果表明，以上各方面的設計改進工作對提高功放組件的高溫可靠性的效果很顯著，該組件不僅順利通過環境溫度60℃（殼溫80℃）連續工怍500小時的壽命試驗，而試驗前后輸出功率變化量已在0. 3dB以內，試驗后輸出功率仍然達10W以上，達到并超過了預期設計目標。
為了降低器件的峰值結溫，提高器件的抗失配能力和長期可靠性，以達到可靠性指標要求，在設計階段還綜合采用了以下幾種技術：
①外延層采用雙層外延技術。
②離子注入鎮流電阻技術。
③鎮流電阻優化設計技術。
④發射極布局的優化設計技術。
⑤采用覆蓋結構配合厚的電鍍層技術。
⑥采用雙層金屬技術。
⑦較大的輸出功率余量設計技術。
⑧冗余技術。
改善器件和組件的散ADXRS652BBGZ熱可從下述三個方面的措施來實現：
①通過整體結構的優化設計改善組件的散熱性能。
②改進管殼結構設計，采用鎢銅替代原來的無氧銅作為管殼的底座，利用鎢銅與可伐側墻之間較好的熱匹配，減小管殼底座在高溫燒結過程中的形變，改善管殼與散熱器之間接觸，降低熱阻。
③采用AuSn合金作為貼片工藝的材料，改善HFET與管殼之間的散熱。
試驗結果表明，以上各方面的設計改進工作對提高功放組件的高溫可靠性的效果很顯著，該組件不僅順利通過環境溫度60℃（殼溫80℃）連續工怍500小時的壽命試驗，而試驗前后輸出功率變化量已在0. 3dB以內，試驗后輸出功率仍然達10W以上，達到并超過了預期設計目標。
為了降低器件的峰值結溫，提高器件的抗失配能力和長期可靠性，以達到可靠性指標要求，在設計階段還綜合采用了以下幾種技術：
①外延層采用雙層外延技術。
②離子注入鎮流電阻技術。
③鎮流電阻優化設計技術。
④發射極布局的優化設計技術。
⑤采用覆蓋結構配合厚的電鍍層技術。
⑥采用雙層金屬技術。
⑦較大的輸出功率余量設計技術。
⑧冗余技術。
①通過整體結構的優化設計改善組件的散熱性能。
②改進管殼結構設計，采用鎢銅替代原來的無氧銅作為管殼的底座，利用鎢銅與可伐側墻之間較好的熱匹配，減小管殼底座在高溫燒結過程中的形變，改善管殼與散熱器之間接觸，降低熱阻。
③采用AuSn合金作為貼片工藝的材料，改善HFET與管殼之間的散熱。
試驗結果表明，以上各方面的設計改進工作對提高功放組件的高溫可靠性的效果很顯著，該組件不僅順利通過環境溫度60℃（殼溫80℃）連續工怍500小時的壽命試驗，而試驗前后輸出功率變化量已在0. 3dB以內，試驗后輸出功率仍然達10W以上，達到并超過了預期設計目標。
為了降低器件的峰值結溫，提高器件的抗失配能力和長期可靠性，以達到可靠性指標要求，在設計階段還綜合采用了以下幾種技術：
①外延層采用雙層外延技術。
②離子注入鎮流電阻技術。
③鎮流電阻優化設計技術。
④發射極布局的優化設計技術。
⑤采用覆蓋結構配合厚的電鍍層技術。
⑥采用雙層金屬技術。
⑦較大的輸出功率余量設計技術。
⑧冗余技術。
相關技術資料- 4-28改善器件和組件的散熱
熱門點擊
公網安備44030402000607
