按可靠性設計中提出的控制要求實施控制
發布時間:2012/4/28 20:14:38 訪問次數:532
由上述介紹可知，WFBX×××型砷化鎵功率放大VLF3012ST-4R7MR91組件可靠性的提高，主要是通過提高FET承受結溫和改善器件及組件的散熱，解決器件在高溫下連續工作時輸出功率下降這一主要失效模式而實現的。實際上，該產品可靠性的提高和可靠性設計的實現，最主要的是要按設計要求進行可靠性控制。
按設計要求，該組件的生產分為兩個部分：GaAs HFET芯片生產、組件裝配生產。
通過可靠性設計和試驗驗證，將優化了的工藝以工藝卡的方式固定下來，發放到每個工序，規定了每一個需要控制的輸入參數，規定了每一個需要監控的輸出參數，并規定了操作員自檢、檢驗員專檢判斷都合格才可以轉下一工序的工藝質量控制要求。
茌生產過程中，除了按工藝可靠性設計要求對生產車間的溫濕度、凈化度，所使用的原材料包括化學溶劑和去離子水、氮氣等進行嚴格控制外，還對關鍵工序（柵金屬化、背面通孔、芯片燒結、金絲鍵合）進行重點控制。柵金屬化工藝包括光刻、等離子刻蝕、挖槽、電子束蒸發、鈍化介質保護等系列工藝，直接決定著管芯的固有電特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片減薄、紅外光刻、RIE刻蝕、背面通孔金屬化等系列工藝；芯片燒結和金絲鍵合屬于裝配工藝，芯片燒結的合金焊料厚度和空洞控制直接影響管芯的熱阻及結溫的均勻性，這兩步工藝都是手工操作，為了達到良好的控制，重點的工作就是培訓、練習、考核，操作設備與操作員是一一對應的，只有多次抽查全部合格的操作員才可以上崗操作。在生產過程中，按工藝卡要求，還有抽樣的破壞性專檢和紅外熱相測試結溫檢查等。
另外，影響水氣含量的封帽工序也規定了很多的控制措旎，包括清洗條件、除濕條件、氮氣要求、操作時間等。
WFB××××型砷化鎵功率放大組件的生產全過程都要按工藝控制文件要求進行控制，已經生產的多批產品，全部一次通過質量一致性檢驗，多次DPA試驗和水氣含量分析等試驗全部合格，可靠性指標（MTBF值）達到要求，現場使用性能穩定，用戶反映良好。
按設計要求，該組件的生產分為兩個部分：GaAs HFET芯片生產、組件裝配生產。
通過可靠性設計和試驗驗證，將優化了的工藝以工藝卡的方式固定下來，發放到每個工序，規定了每一個需要控制的輸入參數，規定了每一個需要監控的輸出參數，并規定了操作員自檢、檢驗員專檢判斷都合格才可以轉下一工序的工藝質量控制要求。
茌生產過程中，除了按工藝可靠性設計要求對生產車間的溫濕度、凈化度，所使用的原材料包括化學溶劑和去離子水、氮氣等進行嚴格控制外，還對關鍵工序（柵金屬化、背面通孔、芯片燒結、金絲鍵合）進行重點控制。柵金屬化工藝包括光刻、等離子刻蝕、挖槽、電子束蒸發、鈍化介質保護等系列工藝，直接決定著管芯的固有電特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片減薄、紅外光刻、RIE刻蝕、背面通孔金屬化等系列工藝；芯片燒結和金絲鍵合屬于裝配工藝，芯片燒結的合金焊料厚度和空洞控制直接影響管芯的熱阻及結溫的均勻性，這兩步工藝都是手工操作，為了達到良好的控制，重點的工作就是培訓、練習、考核，操作設備與操作員是一一對應的，只有多次抽查全部合格的操作員才可以上崗操作。在生產過程中，按工藝卡要求，還有抽樣的破壞性專檢和紅外熱相測試結溫檢查等。
另外，影響水氣含量的封帽工序也規定了很多的控制措旎，包括清洗條件、除濕條件、氮氣要求、操作時間等。
WFB××××型砷化鎵功率放大組件的生產全過程都要按工藝控制文件要求進行控制，已經生產的多批產品，全部一次通過質量一致性檢驗，多次DPA試驗和水氣含量分析等試驗全部合格，可靠性指標（MTBF值）達到要求，現場使用性能穩定，用戶反映良好。
由上述介紹可知，WFBX×××型砷化鎵功率放大VLF3012ST-4R7MR91組件可靠性的提高，主要是通過提高FET承受結溫和改善器件及組件的散熱，解決器件在高溫下連續工作時輸出功率下降這一主要失效模式而實現的。實際上，該產品可靠性的提高和可靠性設計的實現，最主要的是要按設計要求進行可靠性控制。
按設計要求，該組件的生產分為兩個部分：GaAs HFET芯片生產、組件裝配生產。
通過可靠性設計和試驗驗證，將優化了的工藝以工藝卡的方式固定下來，發放到每個工序，規定了每一個需要控制的輸入參數，規定了每一個需要監控的輸出參數，并規定了操作員自檢、檢驗員專檢判斷都合格才可以轉下一工序的工藝質量控制要求。
茌生產過程中，除了按工藝可靠性設計要求對生產車間的溫濕度、凈化度，所使用的原材料包括化學溶劑和去離子水、氮氣等進行嚴格控制外，還對關鍵工序（柵金屬化、背面通孔、芯片燒結、金絲鍵合）進行重點控制。柵金屬化工藝包括光刻、等離子刻蝕、挖槽、電子束蒸發、鈍化介質保護等系列工藝，直接決定著管芯的固有電特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片減薄、紅外光刻、RIE刻蝕、背面通孔金屬化等系列工藝；芯片燒結和金絲鍵合屬于裝配工藝，芯片燒結的合金焊料厚度和空洞控制直接影響管芯的熱阻及結溫的均勻性，這兩步工藝都是手工操作，為了達到良好的控制，重點的工作就是培訓、練習、考核，操作設備與操作員是一一對應的，只有多次抽查全部合格的操作員才可以上崗操作。在生產過程中，按工藝卡要求，還有抽樣的破壞性專檢和紅外熱相測試結溫檢查等。
另外，影響水氣含量的封帽工序也規定了很多的控制措旎，包括清洗條件、除濕條件、氮氣要求、操作時間等。
WFB××××型砷化鎵功率放大組件的生產全過程都要按工藝控制文件要求進行控制，已經生產的多批產品，全部一次通過質量一致性檢驗，多次DPA試驗和水氣含量分析等試驗全部合格，可靠性指標（MTBF值）達到要求，現場使用性能穩定，用戶反映良好。
按設計要求，該組件的生產分為兩個部分：GaAs HFET芯片生產、組件裝配生產。
通過可靠性設計和試驗驗證，將優化了的工藝以工藝卡的方式固定下來，發放到每個工序，規定了每一個需要控制的輸入參數，規定了每一個需要監控的輸出參數，并規定了操作員自檢、檢驗員專檢判斷都合格才可以轉下一工序的工藝質量控制要求。
茌生產過程中，除了按工藝可靠性設計要求對生產車間的溫濕度、凈化度，所使用的原材料包括化學溶劑和去離子水、氮氣等進行嚴格控制外，還對關鍵工序（柵金屬化、背面通孔、芯片燒結、金絲鍵合）進行重點控制。柵金屬化工藝包括光刻、等離子刻蝕、挖槽、電子束蒸發、鈍化介質保護等系列工藝，直接決定著管芯的固有電特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片減薄、紅外光刻、RIE刻蝕、背面通孔金屬化等系列工藝；芯片燒結和金絲鍵合屬于裝配工藝，芯片燒結的合金焊料厚度和空洞控制直接影響管芯的熱阻及結溫的均勻性，這兩步工藝都是手工操作，為了達到良好的控制，重點的工作就是培訓、練習、考核，操作設備與操作員是一一對應的，只有多次抽查全部合格的操作員才可以上崗操作。在生產過程中，按工藝卡要求，還有抽樣的破壞性專檢和紅外熱相測試結溫檢查等。
另外，影響水氣含量的封帽工序也規定了很多的控制措旎，包括清洗條件、除濕條件、氮氣要求、操作時間等。
WFB××××型砷化鎵功率放大組件的生產全過程都要按工藝控制文件要求進行控制，已經生產的多批產品，全部一次通過質量一致性檢驗，多次DPA試驗和水氣含量分析等試驗全部合格，可靠性指標（MTBF值）達到要求，現場使用性能穩定，用戶反映良好。
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