在進行電子線路設計時，應適當放STM32F100RBT6B寬半導體分立器件的參數允許變化范圍（包括半導體分立器件的制造容差、溫度漂移、時間漂移、輻射導致的漂移等），以保證半導體分立器件的參數在一定范圍內變化時，產品仍能正常的工作。
    只要可能，電路的性能應基于器件（晶體管、二極管）最穩定的參數之上。設計人員在電路的設計中應留有足夠的余量，以便適應由于參數漂移引起的電氣性能的改變，如晶體管的共發射極靜態正向電流傳輸比、發射極開路時集電極直流截止電流、二極管的直流導通電壓和最大反向電流等，這些參數有可能減少或增加到規走數值的兩倍。對于公差、溫度和時間造成的半導體分立器件性能的變化，應該采用一般的限制；對于那些在使用期間穩定性較差的特性，應采用比穩定性更好的特性更寬的限制。
    半導體分立器件在其壽命期內參數值會在規定的限制范圍內發生變化，因此就長壽命可靠性設計來說，設計方案應當允許主要性能參數在某一范圍內波動（如表4. 34所示）。