防過熱設計技術
發布時間:2012/4/29 21:38:05 訪問次數:668
溫度是影響半導體分立器件74LVC1G58GW壽命的重要因素。防過熱的主要目的在于把半導體分立器件的結溫控制在允許的范圍內。
一般情況下，硅半導體器件的最高結溫為175℃，而鍺為100℃，但經常為了提高可靠性而把硅器件最高結溫定在175℃以下（甚至低到100℃）。
半導體分立器件的結溫與熱阻、功耗及環境溫度有關。熱阻包括內熱阻、外熱阻和接觸熱阻。內熱阻取決于半導體分立器件的設計、材料、結構和工藝，是半導體分立器件自身的屬性。為了控制外熱阻和接觸熱阻，在使用半導體分立器件時應進行可靠性熱設計。要注意如下要點：
①功率半導體分立器件應裝在散熱器上。
②散熱器的表面積應滿足熱設計要求。
③工作于正常大氣條件下的型材散熱器應使肋片沿其長度方向垂直安裝，以便于自然對流。當散熱器上有多個肋片時，應選擇肋片間距大的散熱器。
④半導體分立器件外殼寫散熱器間的接觸熱阻應盡可能小，而接觸面積應盡量增大，并保持接觸面光潔，必要時可在接觸面涂上導熱膏或加熱絕緣硅橡膠片，借助于合適的緊固措施保證緊密接觸等。
⑤散熱器進行表面處理，使其粗糙度適當并使其表面呈黑色，以增強輻射散熱。
⑥對熱敏感的半導體分立器件，安裝時應遠離耗散功率大的元器件。
⑦工作于真空環境中的半導體分立器件，散熱器設計時應以只有輻射和傳導散熱為基礎。
一般情況下，硅半導體器件的最高結溫為175℃，而鍺為100℃，但經常為了提高可靠性而把硅器件最高結溫定在175℃以下（甚至低到100℃）。
半導體分立器件的結溫與熱阻、功耗及環境溫度有關。熱阻包括內熱阻、外熱阻和接觸熱阻。內熱阻取決于半導體分立器件的設計、材料、結構和工藝，是半導體分立器件自身的屬性。為了控制外熱阻和接觸熱阻，在使用半導體分立器件時應進行可靠性熱設計。要注意如下要點：
①功率半導體分立器件應裝在散熱器上。
②散熱器的表面積應滿足熱設計要求。
③工作于正常大氣條件下的型材散熱器應使肋片沿其長度方向垂直安裝，以便于自然對流。當散熱器上有多個肋片時，應選擇肋片間距大的散熱器。
④半導體分立器件外殼寫散熱器間的接觸熱阻應盡可能小，而接觸面積應盡量增大，并保持接觸面光潔，必要時可在接觸面涂上導熱膏或加熱絕緣硅橡膠片，借助于合適的緊固措施保證緊密接觸等。
⑤散熱器進行表面處理，使其粗糙度適當并使其表面呈黑色，以增強輻射散熱。
⑥對熱敏感的半導體分立器件，安裝時應遠離耗散功率大的元器件。
⑦工作于真空環境中的半導體分立器件，散熱器設計時應以只有輻射和傳導散熱為基礎。
溫度是影響半導體分立器件74LVC1G58GW壽命的重要因素。防過熱的主要目的在于把半導體分立器件的結溫控制在允許的范圍內。
一般情況下，硅半導體器件的最高結溫為175℃，而鍺為100℃，但經常為了提高可靠性而把硅器件最高結溫定在175℃以下（甚至低到100℃）。
半導體分立器件的結溫與熱阻、功耗及環境溫度有關。熱阻包括內熱阻、外熱阻和接觸熱阻。內熱阻取決于半導體分立器件的設計、材料、結構和工藝，是半導體分立器件自身的屬性。為了控制外熱阻和接觸熱阻，在使用半導體分立器件時應進行可靠性熱設計。要注意如下要點：
①功率半導體分立器件應裝在散熱器上。
②散熱器的表面積應滿足熱設計要求。
③工作于正常大氣條件下的型材散熱器應使肋片沿其長度方向垂直安裝，以便于自然對流。當散熱器上有多個肋片時，應選擇肋片間距大的散熱器。
④半導體分立器件外殼寫散熱器間的接觸熱阻應盡可能小，而接觸面積應盡量增大，并保持接觸面光潔，必要時可在接觸面涂上導熱膏或加熱絕緣硅橡膠片，借助于合適的緊固措施保證緊密接觸等。
⑤散熱器進行表面處理，使其粗糙度適當并使其表面呈黑色，以增強輻射散熱。
⑥對熱敏感的半導體分立器件，安裝時應遠離耗散功率大的元器件。
⑦工作于真空環境中的半導體分立器件，散熱器設計時應以只有輻射和傳導散熱為基礎。
一般情況下，硅半導體器件的最高結溫為175℃，而鍺為100℃，但經常為了提高可靠性而把硅器件最高結溫定在175℃以下（甚至低到100℃）。
半導體分立器件的結溫與熱阻、功耗及環境溫度有關。熱阻包括內熱阻、外熱阻和接觸熱阻。內熱阻取決于半導體分立器件的設計、材料、結構和工藝，是半導體分立器件自身的屬性。為了控制外熱阻和接觸熱阻，在使用半導體分立器件時應進行可靠性熱設計。要注意如下要點：
①功率半導體分立器件應裝在散熱器上。
②散熱器的表面積應滿足熱設計要求。
③工作于正常大氣條件下的型材散熱器應使肋片沿其長度方向垂直安裝，以便于自然對流。當散熱器上有多個肋片時，應選擇肋片間距大的散熱器。
④半導體分立器件外殼寫散熱器間的接觸熱阻應盡可能小，而接觸面積應盡量增大，并保持接觸面光潔，必要時可在接觸面涂上導熱膏或加熱絕緣硅橡膠片，借助于合適的緊固措施保證緊密接觸等。
⑤散熱器進行表面處理，使其粗糙度適當并使其表面呈黑色，以增強輻射散熱。
⑥對熱敏感的半導體分立器件，安裝時應遠離耗散功率大的元器件。
⑦工作于真空環境中的半導體分立器件，散熱器設計時應以只有輻射和傳導散熱為基礎。
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