負載電流（發射極電流）的指標是5mA，所以晶ADE-25MH體管的集電極電流（一發射極電流）的最大額定值必須大于5mA。因為必須由4000B系列CMOS IC提供基極電流，所以為了將基極電流抑制在O.lmA（一般不怎么能夠從4000B系列CMOSIC中取出電流），而負載電流是5mA，所以hFE必須在50(一5mAlO. ImA)以上。
    另外，晶體管處于截止狀態時電源電壓(在這里是+5V)是加在集電極一發射極間和集電極一基極間，所以所選擇晶體管的集電極一發射極間和集電極一基極間的最大額定值VCEO、CBO必須大于電源電壓。
    按照Ic>5mA，hFE>50．VCEO>5V，VCBO>5V的條件，與發射極接地時情況相同選擇2SC2458（東芝）。當然使用PNP晶體管也無妨，不過這時的電路變成圖8.20所示的那樣。
    開路發射極的設計也完全相同，由加在外部負載上的電壓以及從輸出端（發射極）流出或者吸入的最大負載電流為根據選擇晶體管。
    射極跟隨器型開關電路的負載電流原封不動地就是發射極電流，所以必須給輸入端提供它的l/hFE的基極電流。但是當負載電流大時，有可能無法提供驅動輸入端電路所必要的基極電流。
    在這種情況下，仍然和發射極接地時的辦法一樣，或者采用超p晶體管，或者如圖8.21所示將晶體管達林頓連接使用。但是，達林頓連接時需要注意發射極電位要比基極電位低1.2～1.4V(兩個VBE)。
    射極跟隨器型開關電路中當晶體管處于導通狀態時，發射極電位比基極電位低0.6～0.7V。因此，即使基極電位與集電極電位（即電源電壓）相等，晶體管的集電極一發射極間電壓還是0.6～0.7V(達林頓連接時是1.2～1.4V)。這個VCE與集電極電流（一發射極電流）之積就是晶體管的熱損耗，所以當負載電流大時應該注意晶體管的發熱問題。