使用MOSFET的LC振蕩電路
發布時間:2012/6/2 19:03:33 訪問次數:3961
圖14.29是使用MOSFET的LC振蕩電路。振蕩頻率與圖14.14的電S29GL128N90TFIR1路相同是4MHz。使用的是耗盡型MOSFET，如果設定柵極偏置電壓為OV，就可以把柵極偏置電路簡化（用1個電阻偏置）。
如果再省略LC共振電路的串聯電容，就變成圖14. 30所示的那樣，那么還可以去掉柵極的偏置電阻。這個電路是以線圈的直流電阻把FET的柵極接地為OV的。
使用MOSFET時確定振蕩電路各部分常數的方法和使用晶體管的場合完全相同。但是由于FET的數據表中不提供與晶體管fT相當的參數，所以必須從其他參數中推測它能夠工作的頻率。
在使用2SK241的場合，由圖3.18的正向傳輸導納yfS（=GM）的頻率特性看出大約可以工作到200MHz.
圖14.29是使用MOSFET的LC振蕩電路。振蕩頻率與圖14.14的電S29GL128N90TFIR1路相同是4MHz。使用的是耗盡型MOSFET，如果設定柵極偏置電壓為OV，就可以把柵極偏置電路簡化（用1個電阻偏置）。
如果再省略LC共振電路的串聯電容，就變成圖14. 30所示的那樣，那么還可以去掉柵極的偏置電阻。這個電路是以線圈的直流電阻把FET的柵極接地為OV的。
使用MOSFET時確定振蕩電路各部分常數的方法和使用晶體管的場合完全相同。但是由于FET的數據表中不提供與晶體管fT相當的參數，所以必須從其他參數中推測它能夠工作的頻率。
在使用2SK241的場合，由圖3.18的正向傳輸導納yfS（=GM）的頻率特性看出大約可以工作到200MHz.
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