聲表面波器件的工藝路線選擇MP1521EK主要是光刻工藝的選擇。其余工序的控制。
    聲表面波器件的光刻工藝有兩種，即濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕又有正刻和反刻（俗稱剝離）之分，正刻和反刻的刻蝕工藝流程示意圖見圖9. 11所示。曝光方式有接觸式和分步重復投影式的STEPPER兩種，前者的光刻分辨率不高，后者分辨率高但設備昂貴。

    曝光設備和光刻技術是制作高頻聲表面波器件的關鍵設備。g一線stepper適合于1.5GHz以下的聲表面波濾波器生產，I一線stepper適合于生產1.5～2.5GHz的聲表面波濾波器，如果用分辨率為0.13～0.18 pm的受激準分子stepper，能夠制作5.5～5.7GHz范圍內的聲表面波濾波器。
    腐蝕方法是制作高頻聲表面波器件的又一關鍵技術。干法刻蝕法，尤其是反應離子刻蝕(RIE)，是非常適合于制作RF聲表面波器件的，用BCl3氣體，能干凈地蝕刻Al或摻雜的Al膜，不會出現過腐蝕或腐蝕不完全情況。