圖6.16的電路稱為柵一TLC7524CN陰放大連接自舉電路。
    電子電路中，“以自身力量工作，或者使自身能力提高”的電路稱為自舉電路。
    該圖與圖6.14所示柵一陰放大連接電路的不同之處只是Tr2的柵極與Tri的源極連接。
    一般的柵一陰放大連接中是給Tr2的柵極加直流偏壓，所以Tri的漏極電位由Tr2的源極決定，通常是固定值。因此Tri的漏極一源極間電壓與輸入信號有關，經常是變化的（變化部分與輸入信號的振幅相同）。
    所謂漏極一源極間電壓經常變化也就是FET的工作點經常變化，所以從輸入端看到器件的輸入電容CiSS和g。等也會發生微妙的變化。

    但是圖6.16所示的電路中把Trz的柵極連接在Tri的源極上，Tr2的柵極電位與輸入信號對應地變化。如果Tr2的柵極電位發生變化，同時要保持VGS的值一定，Trz的源極電位就要變動，其結果就能夠經常保持Tri的漏極一源極間電壓一定。這時Tri的漏極一源極間電壓就與輸入信號無關，變成Tr2的%。值。
    就是說，這個電路通過自身的輸出(Tri的源極)，總能夠保持自身工作點一定，從而提高電路的特性。
    如果能夠保持源極接地的FET漏極一源極間電壓為一定值，使電路的工作點固定，那么當輸入信號變大時的頻率特性和輸入輸出間的線性關系也能夠得到改善，使得一直到高頻范圍都能夠保持電路的工作穩定。所以，柵一陰放大連接自舉電路經常應用在高頻放大電路或者OP放大器的內部。
    與柵一陰放大連接電路相比，由于少了柵極接地FET的柵極偏置電路，所以電路的設計簡單了（只是把Trz的柵極連接在Tri的源極上）。所使用的FET選擇ID}；S高于設定的漏極電流的器件（Tri、Trz都是這樣）。圖6.16中Tri、Tr2使用楣同的FET，只要滿足IDSS的條件，改變這兩個FET的型號也完全沒有問題。
    如圖6.17所示，使用晶體管的基極接地也能夠將源極接地柵一陰放大連接自舉化。但是，由于晶體管V BE的極性與JFET的VGS極性相反（如果把圖6.17中Tr2的基極直接與Tri的源極連接，將不會產生Tri漏極一源極間的電壓），還必須保證有基極電流流動等原因，所以電路稍微復雜些。

                
    在柵極接地一側也可以使用MOSFET實現柵一陰放大連接自舉化。不過必須注意VGS的極性也可能與JFET相反（必須慎重選擇工作點，或者作成如圖6.17那樣的電路）。