如前面圖6.8中簡單介紹過TLC7528CN的那樣，柵一陰放大連接是源極接地放大電路與柵極接地放大電路縱向配置形式的電路。
    源極接地放大電路能夠提高輸入阻抗，但是頻率特性較差（由于密勒效應降低了高頻范圍的響應）。另一方面，柵極接地放大電路的頻率特性好，不過由于它的輸入阻抗低而在應用上有困難。
    柵一陰放大連接是將柵極接地與源極接地兩種電路的優點集中起來的電路。就是說，輸入部分是源極接地，因而能夠提高輸入阻抗；輸出部分是柵極接地，因此改善了頻率特性（源極接地的負載是輸入阻抗為零的柵極接地，所以源極接地部分的增益為零，只有柵極接地部分獲得增益）。

                 
    圖6.14是使用N溝JFET柵一陰放大連接的放大電路。這個電路中Tri是源極接地，Tr2是柵極接地。
    電路的總增益與源極接地和櫥極接地相同，可以由Tri的源極電阻Rs與Trz的漏極負載電阻RD之比求得。所以圖6.14電路的電壓增益為3倍(約6.2kfl,/ 2k,Q)。關于柵一陰放大連接電路的設計方法，在Tri的周圍與源極接地放大電路完全相同，在Trz的周圍與柵極接地放大電路完全相同。就是說Tri與Tr2的源極電流（一漏極電流）由Tri的柵偏壓與源極電阻Rs決定（源極接地放大電路的設計），Trz的源極電位由Trz的柵偏壓決定（柵極接地放大電路的設計）。
    確定柵一陰放大連接的工作點時需要注意的是加在Tri的漏極一源極間的電壓有多大。
    圖6. 15是2SK184的輸入電容Ci。。與漏極一源極間電壓VDS的關系曲線。當VDS小時，CiSS變大，這成為電路頻率特性惡化的原因（CiSS是形成低通濾波器的重要因素）。因此，對于一般的JFET應設定VDS在1V以上。圖6.14的電路中設定VDS一3.25V。

                
    不過一般的柵極接地放大電路中柵極是用電容器接地的（圖6.1的C5），而圖6.14的Tr2的柵極卻不是用電容器接地。這是因為連接到Trz的信號源，也就是Tri的阻抗比Tr2的柵偏置電路的阻抗大得多（源極接地的漏極阻抗被認為是無窮大），所以柵極接地的電容器可以略去。