負載電容
發布時間:2013/3/22 20:39:39 訪問次數:1830
>負載電容 晶振相當于電感，組成LF60A振蕩電路時需配接外部電容即負載電容。負載電容是與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
在應用晶體時，負載電容(CL)的值必須按產品手冊中規定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負載諧振頻率f 是指在規定條件下，晶體與一負載電容串聯或并聯，其組合阻抗呈現為阻性時的兩個頻率中的一個頻率。
在串聯負載電容時，fL是兩個頻率中較低的一個；在并聯負載電容時，fL則是兩個頻率中較高的一個。
>動態電阻Ri 是指串聯諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負載諧振電阻是指在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵電平是指晶振工作時消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵電平應大小適中，既不能過激勵，也不能欠激勵。
常見的激勵電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
在應用晶體時，負載電容(CL)的值必須按產品手冊中規定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負載諧振頻率f 是指在規定條件下，晶體與一負載電容串聯或并聯，其組合阻抗呈現為阻性時的兩個頻率中的一個頻率。
在串聯負載電容時，fL是兩個頻率中較低的一個；在并聯負載電容時，fL則是兩個頻率中較高的一個。
>動態電阻Ri 是指串聯諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負載諧振電阻是指在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵電平是指晶振工作時消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵電平應大小適中，既不能過激勵，也不能欠激勵。
常見的激勵電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
>負載電容 晶振相當于電感，組成LF60A振蕩電路時需配接外部電容即負載電容。負載電容是與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
在應用晶體時，負載電容(CL)的值必須按產品手冊中規定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負載諧振頻率f 是指在規定條件下，晶體與一負載電容串聯或并聯，其組合阻抗呈現為阻性時的兩個頻率中的一個頻率。
在串聯負載電容時，fL是兩個頻率中較低的一個；在并聯負載電容時，fL則是兩個頻率中較高的一個。
>動態電阻Ri 是指串聯諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負載諧振電阻是指在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵電平是指晶振工作時消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵電平應大小適中，既不能過激勵，也不能欠激勵。
常見的激勵電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
在應用晶體時，負載電容(CL)的值必須按產品手冊中規定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負載諧振頻率f 是指在規定條件下，晶體與一負載電容串聯或并聯，其組合阻抗呈現為阻性時的兩個頻率中的一個頻率。
在串聯負載電容時，fL是兩個頻率中較低的一個；在并聯負載電容時，fL則是兩個頻率中較高的一個。
>動態電阻Ri 是指串聯諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負載諧振電阻是指在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵電平是指晶振工作時消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵電平應大小適中，既不能過激勵，也不能欠激勵。
常見的激勵電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
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