由PN結的單向CJ1W-DA04導電性可知，當PN結反偏時，其反向電流很小，幾乎為零。但當反向電壓超過一定限度，其反向電流將急劇增大，如圖4-11所示。這種現象稱為PN結的反向擊穿。擊穿時所對應的電壓，稱為反向擊穿電壓，通常用UBR表示。在反向擊穿前，PN結處于正常反偏狀態，所對應的電流稱為反向飽和電流，通常用以來表示，相對于正向電流它很小，一般在微安級別。
    (1)雪崩擊穿。當反向電壓很大時，內建電場很強，參與漂移運動的少子可獲得很大的能量高速地穿越空間電荷區。以自由電子為例，在穿越過程中，難免與共價鍵中的價電子發生碰撞。碰撞出來的價電子形成自由電子繼續參與漂移運動，又碰撞出更多的自由電子。如此繼續下去，自由電子的數量如雪崩式增長，導致反向電流急劇增大，產生了雪崩擊穿。雪崩擊穿的本質是碰撞電離。

         
    (2)齊納擊穿。有時候，PN結外加的反向電壓并不大，但是半導體材料本身的摻雜濃度太高，空間電荷區太薄，內建電場的強度也可能達到很強，以至于可以直接把共價鍵中的價電子拉扯出來，形成自由電子，這個過程稱為場致電離。場致電離的結果．也是使參與導電的少子數量迅速增加，導致反向電流急劇增大，這種現象稱之為齊納擊穿。
    (3)熱擊穿。上述PN結的擊穿現象都屬于電擊穿。電擊穿是可逆的，只要反向擊穿時PN結的反向電流和反向電壓的乘積不超過其耗散功率，在反向電壓降低后PN結的性能可以恢復正常。但是，如果PN結反向擊穿后不采取限流等保護措施，當其熱耗超過耗散功率，就會因熱量散發不出去引起PN結溫度急劇上升，最終導致熱擊穿，燒毀PN結。