PN結的電容特性
發布時間:2013/5/19 14:53:53 訪問次數:1223
PN結的電容特性
PN結的電容效應由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結上的壓降發生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當于PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結的另一側面積累而形成的。當PN結正偏時，由N區擴散到P區的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區內緊靠PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區擴散到N區的空穴，在N區內也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
PN結的電容效應由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結上的壓降發生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當于PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結的另一側面積累而形成的。當PN結正偏時，由N區擴散到P區的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區內緊靠PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區擴散到N區的空穴，在N區內也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
PN結的電容特性
PN結的電容效應由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結上的壓降發生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當于PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結的另一側面積累而形成的。當PN結正偏時，由N區擴散到P區的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區內緊靠PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區擴散到N區的空穴，在N區內也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
PN結的電容效應由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結上的壓降發生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當于PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結的另一側面積累而形成的。當PN結正偏時，由N區擴散到P區的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區內緊靠PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區擴散到N區的空穴，在N區內也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
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相關技術資料- 5-19PN結的電容特性
- 相關IC型號
- CJ1W-DRM21
- 暫無最新型號
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