電力晶體管從結構上可分為單管、達林頓E6B2-CWZ6C 200P/R管和模塊三大系列。
    1．單管GTR
    NPN三重擴散臺面型結構是單管GIR的典型結構，這種結構可靠性高，能改善器件的二次擊穿特性，易于提高耐壓能力，并且易于耗散內部熱量。GIR是用基極電流控制集電極電流的電流型控制器件，r.r漂移層的電阻率和厚度決定器件的阻斷能力，電阻率高、厚度大則可使阻斷能力提高。但卻導致導通飽和電阻的增大和電流增益的降低。一般單管GIR的電流增益都很低，約10～20。

            
    2．達林頓GTR
    達林頓GTR由兩個或多個晶體管復合而成，可以是NPN型也可以是PNP型，萁性質由驅動管來決定。圖7-3 (a)為兩個NPN管組成的達林頓GTR，其性質是NPN型；圖7-3 (b)為由PNP和NPN晶體管組成的達林頓GTR，其性質為PNP型。圖7-3 (c)為實用的達林頓電路。

           
    3．GTR模塊
    目前作為大功率開關應用最多的還是GTR模塊，它將GTR管芯、穩定電阻、加速二極管以及續流二極管等組成一個單元，然后根據不同用途將幾個單元電路組裝在一個外殼之內構成模塊。現在已可將上述單元電路集成制作在同一硅片上，大大提高器件的集成度，使其小型輕量化，性能／價格比大大提高。圖7-4示出了由兩個三級達林頓GTR及其輔助元器件構成的單臂橋式電路模塊的等效電路。為了便于改善器件的開關過程和并聯使用，中間級晶體管的基極均有引線引出，如圖中bcll、bc12等端子。目前生產的GTR模塊可將多達6個互相絕緣的單元電路做在同一模塊內，可很方便地組成三相橋。

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