電力晶體管( GTR，Giant Transistor)按英E6B2-CWZ6C 2000P/R文直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（BJT，Bipolar Junction transistor），所以英文有時候也稱為Power BJT。在電力電子技術的范圍內，GTR與BJT這兩個名稱是等效的。自20世紀80年代以來，在中、小功率范圍內取代晶閘管的，主要是GTR。但是目前，其地位已大多被絕緣柵雙極晶體管和功率場效應晶體管所取代。
    結構與分類
    GTR是由三層半導體材料兩個PN結組成的，三層半導體材料的結構形式可以是PNP，也可以是NPN。NPN型GTR的結構剖面示意圖如圖7-1 (a)所示，圖中摻雜濃度高的N+區稱為GTR的發射區，其作用是向基區注入載流子。基區是一個厚度為幾微米至幾十微米之間的P型半導體薄層，它的任務是傳送和控制載流子。集電區N+是收集載流子的，常在集電區中設置輕摻雜的r.r區以提高器件的耐壓能力。不同類型半導體區的交界處則形成PN結，發射區與基區交界處的PN結兒稱為發射結；集電區與基區交界處的PN結J2稱為集電結。兩個PN結Jl和J2通過很薄的基區聯系起來，為了使發射區向基區注入電子，就要在發射結上加正向偏置電壓UEE（簡稱正偏電壓），要保證注入到基區的電子能夠經過基區后傳輸到集電區，就必須在集電結上施加反向偏置電壓Ucc（簡稱反偏電壓），如圖7-1 (b)所示。

              
    圖7-2所示為GTR的電氣圖形符號和內部載流子的流動情況示意。在實際應用中，GTR -般采用共發射極接法，集電極電流L與基極電流.

                
    GTR的產品說明書中通常給出的是直流電流增益hFE，它是在直流工作的情況下，集電極電流與基極電流之比。單管GTR的∥值比處理信息用的小功率晶體管小得多，通常為10左右，采用達林頓接法可以有效地增大電流增益。
    電力晶體管大多作功率開關使用，對它的要求也與小信號晶體管不同，主要是有足夠的容量（高電壓、大電流）、適當的增益、較高的工作速度和較低的功率損耗等。由于電力晶體管的功率損耗大、工作電流大，因此其工作狀況與小信號晶體管相比出現了一些新的特點和問題，如存在基區大注入效應、基區擴展效應和發射極電流集邊效應等。

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