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電阻條

發布時間:2013/7/29 19:54:43 訪問次數:1831

    由于用來制造電阻的材料都經過精心設計(如未金屬化的多晶硅、輕摻雜硅等),它們與用作器件之間互連線的電阻(如金屬化的多晶硅、金屬鋁等)完全不同,P82B715TD而且電阻條的端頭包含低阻接觸區域(圖2.1)。此時,相對于設計的電阻條大小,增加有效寬度,減小有效長度,從而減小了這個區域的整體電阻,并且還包含了金屬接觸,可以得到傳統的“狗骨頭”結構的電阻圖形。工藝工程師將通過優化流程來定義材料的厚度,如調整多晶硅的沉積速率或者擴散雜質原子的退火時間,而集成電路設計工程師都不能控制這些工藝條件。因此集成電路設計工程師通常只需要定義頂層電阻的長(L)和寬(W),而不去定義電阻的厚度(T),這就是集成電路設計工程師僅僅需要知道薄層電阻Rs而不需要了解材料電阻率.0的原因。薄層電阻與材料的本征電阻率間的關系.

             
    由于薄層電阻代表一個方塊(W、L相等)材料的電阻值,而不管其面積太小,因此使用非常方便,薄層電阻的符號表示為R。(sheet resistance,也稱為方塊電阻)。例如,根據圖2.1,當忽略接觸區的電阻,整體電阻值近似為7個方塊模塊串聯,即7Rs。
   

    由于用來制造電阻的材料都經過精心設計(如未金屬化的多晶硅、輕摻雜硅等),它們與用作器件之間互連線的電阻(如金屬化的多晶硅、金屬鋁等)完全不同,P82B715TD而且電阻條的端頭包含低阻接觸區域(圖2.1)。此時,相對于設計的電阻條大小,增加有效寬度,減小有效長度,從而減小了這個區域的整體電阻,并且還包含了金屬接觸,可以得到傳統的“狗骨頭”結構的電阻圖形。工藝工程師將通過優化流程來定義材料的厚度,如調整多晶硅的沉積速率或者擴散雜質原子的退火時間,而集成電路設計工程師都不能控制這些工藝條件。因此集成電路設計工程師通常只需要定義頂層電阻的長(L)和寬(W),而不去定義電阻的厚度(T),這就是集成電路設計工程師僅僅需要知道薄層電阻Rs而不需要了解材料電阻率.0的原因。薄層電阻與材料的本征電阻率間的關系.

             
    由于薄層電阻代表一個方塊(W、L相等)材料的電阻值,而不管其面積太小,因此使用非常方便,薄層電阻的符號表示為R。(sheet resistance,也稱為方塊電阻)。例如,根據圖2.1,當忽略接觸區的電阻,整體電阻值近似為7個方塊模塊串聯,即7Rs。
   

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